О возможности синтеза карбида кремния с использованием плазмотрона косвенного действия

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
Parent link:Инженерно-физический журнал=Journal of Engineering Physics and Thermophysics/ Институт тепло- и массообмена им. А. В. Лыкова НАН Беларуси.— .— Минск: Изд-во ИТМО.— 0021-0285
Т. 97, № 2.— 2024.— С. 474-481
অন্যান্য লেখক: Герасимов Р. Д. Роман Дмитриевич, Шеховцев В. В. Валентин Валерьевич, Васильева Ю. З. Юлия Захаровна, Верещагин В. И. Владимир Иванович, Пак А. Я. Александр Яковлевич, Мамонтов Г. Я. Геннадий Яковлевич, Волокитин О. Г. Олег Геннадьевич
সংক্ষিপ্ত:Заглавие с экрана
Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований синтеза карбида кремния с использованием энергии термической плазмы. Экспериментальные исследования проводились на стенде мощностью до 4 кВт, позволяющем реализовать поток термической плазмы со среднемассовой температурой 5600 K. Установлены режимы синтеза карбида кремния и концентрации компонентов композиционной шихты, определяющие его выход. На основе обработки экспериментальных данных вычислены ключевые характеристики технологического процесса синтеза карбида кремния (время, масса навески)
The paper presents the results of experimental and theoretical investigations into the synthesis of silicon carbide using the energy of thermal plasma. The experimental investigations were conducted on a stand with 4 kW of power making it possible to have a thermal plasma ow with a bulk temperature of 5600 K. Regimes have been identi ed for the synthesis of silicon carbide and concentration of composite charge mixture components determining its yield. On the basis of processing experimental data, key characteristics have been calculated for the technological process of silicon carbide synthesis (time and load mass)
Текстовый файл
AM_Agreement
ভাষা:রুশ
প্রকাশিত: 2024
বিষয়গুলি:
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://elibrary.ru/item.asp?id=65634519
Переводная версия
বিন্যাস: বৈদ্যুতিক গ্রন্থের অধ্যায়
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=673963

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 673963
005 20250320160430.0
090 |a 673963 
100 |a 20240806d2024 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a BY 
135 |a drcn ---uucaa 
200 1 |a О возможности синтеза карбида кремния с использованием плазмотрона косвенного действия  |d On the Possibility of Synthesis of Silicon Carbide Using an Indirect-Action Plasma Gun  |z eng  |f Р. Д. Герасимов, В. В. Шеховцов, Ю. З. Васильева [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный  |b визуальный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a Литература: 24 назв 
330 |a Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований синтеза карбида кремния с использованием энергии термической плазмы. Экспериментальные исследования проводились на стенде мощностью до 4 кВт, позволяющем реализовать поток термической плазмы со среднемассовой температурой 5600 K. Установлены режимы синтеза карбида кремния и концентрации компонентов композиционной шихты, определяющие его выход. На основе обработки экспериментальных данных вычислены ключевые характеристики технологического процесса синтеза карбида кремния (время, масса навески) 
330 |a The paper presents the results of experimental and theoretical investigations into the synthesis of silicon carbide using the energy of thermal plasma. The experimental investigations were conducted on a stand with 4 kW of power making it possible to have a thermal plasma ow with a bulk temperature of 5600 K. Regimes have been identi ed for the synthesis of silicon carbide and concentration of composite charge mixture components determining its yield. On the basis of processing experimental data, key characteristics have been calculated for the technological process of silicon carbide synthesis (time and load mass) 
336 |a Текстовый файл 
371 0 |a AM_Agreement 
461 1 |0 380462  |9 380462  |t Инженерно-физический журнал  |l Journal of Engineering Physics and Thermophysics  |f Институт тепло- и массообмена им. А. В. Лыкова НАН Беларуси  |c Минск  |n Изд-во ИТМО  |x 0021-0285 
463 1 |9 673304  |0 673304  |t Т. 97, № 2  |v С. 474-481  |d 2024 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a синтез 
610 1 |a плазмотрон 
610 1 |a карбид кремния 
610 1 |a углерод 
610 1 |a термическая плазма 
701 1 |a Герасимов  |b Р. Д.  |c специалист в области автоматического управления  |c младший научный сотрудник Томского политехнического университета  |f 1997-  |g Роман Дмитриевич  |9 22971 
701 1 |a Шеховцев  |b В. В.  |g Валентин Валерьевич 
701 1 |a Васильева  |b Ю. З.  |c специалист в области электроэнергетики  |c научный сотрудник, доцент Томского политехнического университета, кандидат технических наук  |f 1995-  |g Юлия Захаровна  |9 22222 
701 1 |a Верещагин  |b В. И.  |c химик-технолог  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1942-  |g Владимир Иванович  |9 7712 
701 1 |a Пак  |b А. Я.  |c специалист в области электротехники  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1986-  |g Александр Яковлевич  |9 14481 
701 1 |a Мамонтов  |b Г. Я.  |c математик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1945-2023  |g Геннадий Яковлевич  |9 18593 
701 1 |a Волокитин  |b О. Г.  |g Олег Геннадьевич 
801 0 |a RU  |b 63413507  |c 20240806  |g RCR 
856 4 |u https://elibrary.ru/item.asp?id=65634519  |z https://elibrary.ru/item.asp?id=65634519 
856 4 |u https://doi.org/10.1007/s10891-024-02913-2  |z Переводная версия 
942 |c CF