Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком

Chi tiết về thư mục
Parent link:	Курзина, И. А. (химик ; 1972-). Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XX Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2023 г..— .— Томск: Изд-во ТПУ, 2023 Т. 1 : Физика.— 2023.— С. 243-245
Tác giả chính:	Цзысюань Ли
Tác giả của công ty:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики
Tác giả khác:	Олешко В. И. Владимир Иванович (727)
Tóm tắt:	Заглавие с экрана In the present study，we performed the effect of electron beam energy density on the amplitude and spectral characteristics of two LED heterostructures AlGaN/GaN and InGaN/GaN grown by sapphire metal organic vapor epitaxy. The spatial distribution of stimulated cathodoluminescence characteristics on the growth plate surface was studied Текстовый файл
Ngôn ngữ:	Tiếng Nga
Được phát hành:	2023
Những chủ đề:	труды учёных ТПУ электронный ресурс нитридные соединения оптоэлектронные приборы гетероструктуры GaN светодиодные гетероструктуры газофазная эпитаксия металлоорганическая эпитаксия спектральные характеристики
Truy cập trực tuyến:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/80810
Định dạng:	Điện tử Chương của sách
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=673280

Những quyển sách tương tự

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
Bằng: Козубова М. А.
Được phát hành: (2013)

Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком
Bằng: Ли Цзысюань
Được phát hành: (2018)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (2012)

Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития
Bằng: Асеев А. Л.
Được phát hành: (2003)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
Bằng: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Được phát hành: (Новосибирск, 2025)

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры пер. с англ.
Được phát hành: (Москва, Мир, 1989)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Được phát hành: (2016)

Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
Bằng: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Được phát hành: (Новосибирск, 2025)

Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
Được phát hành: (2013)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (2012)

Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза
Được phát hành: (1983)

Технология полупроводниковых материалов [учебное пособие]
Bằng: Акчурин Р. Х. Рауф Хамзинович
Được phát hành: (Москва, Изд-во МИХМ, 1985)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (2012)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
Bằng: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Được phát hành: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (2014)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (2012)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры
Được phát hành: (2013)

Экспериментальные исследования проблем оптимизации методов эпитаксиального выращивания наноструктур III-N материалов
Bằng: Жиленков А. А.
Được phát hành: (2017)

Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников
Bằng: Бактыбаев А. А.
Được phát hành: (2016)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами
Bằng: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Được phát hành: (2013)

Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире
Bằng: Ли Цзысюань
Được phát hành: (2022)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (2016)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
Bằng: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Được phát hành: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами
Bằng: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Được phát hành: (2013)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике" диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
Bằng: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Được phát hành: (Новосибирск, 2011)

Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник
Được phát hành: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении электронным пучком
Bằng: Бабкина Е. И.
Được phát hành: (2012)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами
Bằng: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Được phát hành: (2013)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике" автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
Bằng: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Được phát hành: (Томск, 2011)

Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2019)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
Bằng: Васенев А. С.
Được phát hành: (2012)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур «полупроводник на диэлектрике» автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
Bằng: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Được phát hành: (Томск, 2011)

Destruction of LED heterostructures under high-current electron beam irradiation
Bằng: Zixuan Li
Được phát hành: (2019)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15
Bằng: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Được phát hành: (Нальчик, 2013)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2019)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
Bằng: Олешко В. И. Владимир Иванович
Được phát hành: (2015)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2015)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2013)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2014)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP
Bằng: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Được phát hành: (2012)