Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
| Parent link: | Курзина, И. А. (химик ; 1972-). Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XX Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2023 г..— .— Томск: Изд-во ТПУ, 2023 Т. 1 : Физика.— 2023.— С. 243-245 |
|---|---|
| Հիմնական հեղինակ: | |
| Համատեղ հեղինակ: | |
| Այլ հեղինակներ: | |
| Ամփոփում: | Заглавие с экрана In the present study，we performed the effect of electron beam energy density on the amplitude and spectral characteristics of two LED heterostructures AlGaN/GaN and InGaN/GaN grown by sapphire metal organic vapor epitaxy. The spatial distribution of stimulated cathodoluminescence characteristics on the growth plate surface was studied Текстовый файл |
| Լեզու: | ռուսերեն |
| Հրապարակվել է: |
2023
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/80810 |
| Ձևաչափ: | Էլեկտրոնային Գրքի գլուխ |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=673280 |
Նմանատիպ նյութեր
Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Современные техника и технологии; Т. 3
: Козубова М. А.
Հրապարակվել է: (2013)
: Козубова М. А.
Հրապարակվել է: (2013)
Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)
Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
: Ли Цзысюань
Հրապարակվել է: (2018)
: Ли Цзысюань
Հրապարակվել է: (2018)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Հրապարակվել է: (Новосибирск, 2025)
: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Հրապարակվել է: (Новосибирск, 2025)
Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники: Оптоэлектронные преобразователи излучений курс лекций
: Кузнецов Г. Д.
Հրապարակվել է: (Москва, МИСИС, 2001)
: Кузнецов Г. Д.
Հրապարակվել է: (Москва, МИСИС, 2001)
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Հրապարակվել է: (2016)
Հրապարակվել է: (2016)
Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Հրապարակվել է: (Новосибирск, 2025)
: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Հրապարակվել է: (Новосибирск, 2025)
Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
: Асеев А. Л.
Հրապարակվել է: (2003)
: Асеев А. Л.
Հրապարակվել է: (2003)
Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций учебно-методическое пособие
: Курочка С. П.
Հրապարակվել է: (Москва, МИСИС, 2015)
: Курочка С. П.
Հրապարակվել է: (Москва, МИСИС, 2015)
Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ.
Հրապարակվել է: (Москва, Мир, 1989)
Հրապարակվել է: (Москва, Мир, 1989)
Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)
Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)
Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2012)
: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2012)
Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2014)
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2014)
Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2013)
: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2013)
Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si учебное пособие
: Филатов Д. О.
Հրապարակվել է: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
: Филатов Д. О.
Հրապարակվել է: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза; Материалы электронной техники
Հրապարակվել է: (1983)
Հրապարակվել է: (1983)
Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Հրապարակվել է: (2013)
Հրապարակվել է: (2013)
Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2016)
: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2016)
Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2013)
: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2013)
Технология полупроводниковых материалов: [учебное пособие]
: Акчурин Р. Х. Рауф Хамзинович
Հրապարակվել է: (Москва, Изд-во МИХМ, 1985)
: Акчурин Р. Х. Рауф Хамзинович
Հրապարակվել է: (Москва, Изд-во МИХМ, 1985)
Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
: Бактыбаев А. А.
Հրապարակվել է: (2016)
: Бактыбаев А. А.
Հրապարակվել է: (2016)
Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1-2
Հրապարակվել է: (2013)
Հրապարակվել է: (2013)
Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias; Nano Letters; Vol. 18, iss. 9
Հրապարակվել է: (2018)
Հրապարակվել է: (2018)
Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE); Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter
: Ли Цзысюань
Հրապարակվել է: (2022)
: Ли Цзысюань
Հրապարակվել է: (2022)
Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Հրապարակվել է: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Հրապարակվել է: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
Экспериментальные исследования проблем оптимизации методов эпитаксиального выращивания наноструктур III-N материалов; Современные технологии и материалы новых поколений
: Жиленков А. А.
Հրապարակվել է: (2017)
: Жиленков А. А.
Հրապարակվել է: (2017)
Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2
: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2013)
: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2013)
Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures; Materials Science Forum; Vol. 942 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance
: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Հրապարակվել է: (2019)
: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Հրապարակվել է: (2019)
Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Հրապարակվել է: (Новосибирск, 2011)
: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Հրապարակվել է: (Новосибирск, 2011)
Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник; Вып. 5
Հրապարակվել է: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)
Հրապարակվել է: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)
Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
: Шашурин В. Д.
Հրապարակվել է: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)
: Шашурин В. Д.
Հրապարակվել է: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)
Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Հրապարակվել է: (Томск, 2011)
: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Հրապարակվել է: (Томск, 2011)
High-performance and broadband photodetection of bicrystalline (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires via crystal defect engineering; Journal of Materials Science & Technology; Vol. 85
Հրապարակվել է: (2021)
Հրապարակվել է: (2021)
Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур «полупроводник на диэлектрике»: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Հրապարակվել է: (Томск, 2011)
: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Հրապարակվել է: (Томск, 2011)
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
: Васенев А. С.
Հրապարակվել է: (2012)
: Васенев А. С.
Հրապարակվել է: (2012)
Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire; Applied Sciences; Vol. 11, iss. 20
Հրապարակվել է: (2021)
Հրապարակվել է: (2021)
Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Հրապարակվել է: (2019)
: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Հրապարակվել է: (2019)
Destruction of LED heterostructures under high-current electron beam irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 511 : Perspective Materials of Constructional and Medical Purpose
: Zixuan Li
Հրապարակվել է: (2019)
: Zixuan Li
Հրապարակվել է: (2019)