Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика

Bibliographic Details
Parent link:	Курзина, И. А. (химик ; 1972-). Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XX Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2023 г..— .— Томск: Изд-во ТПУ, 2023 Т. 1 : Физика.— 2023.— С. 243-245
Main Author:	Цзысюань Ли
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики
Other Authors:	Олешко В. И. Владимир Иванович (научный руководитель)
Summary:	Заглавие с экрана In the present study，we performed the effect of electron beam energy density on the amplitude and spectral characteristics of two LED heterostructures AlGaN/GaN and InGaN/GaN grown by sapphire metal organic vapor epitaxy. The spatial distribution of stimulated cathodoluminescence characteristics on the growth plate surface was studied Текстовый файл
Language:	Russian
Published:	2023
Subjects:	труды учёных ТПУ электронный ресурс нитридные соединения оптоэлектронные приборы гетероструктуры GaN светодиодные гетероструктуры газофазная эпитаксия металлоорганическая эпитаксия спектральные характеристики
Online Access:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/80810
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=673280

Similar Items

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Современные техника и технологии; Т. 3
by: Козубова М. А.
Published: (2013)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
by: Ли Цзысюань
Published: (2018)

Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники: Оптоэлектронные преобразователи излучений курс лекций
by: Кузнецов Г. Д.
Published: (Москва, МИСИС, 2001)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Published: (Новосибирск, 2025)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Published: (2016)

Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
by: Асеев А. Л.
Published: (2003)

Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
by: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Published: (Новосибирск, 2025)

Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций учебно-методическое пособие
by: Курочка С. П.
Published: (Москва, МИСИС, 2015)

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ.
Published: (Москва, Мир, 1989)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза; Материалы электронной техники
Published: (1983)

Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si учебное пособие
by: Филатов Д. О.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2014)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Published: (2013)

Технология полупроводниковых материалов: [учебное пособие]
by: Акчурин Р. Х. Рауф Хамзинович
Published: (Москва, Изд-во МИХМ, 1985)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2016)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
by: Бактыбаев А. А.
Published: (2016)

Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1-2
Published: (2013)

Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE); Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter
by: Ли Цзысюань
Published: (2022)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
by: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Published: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Экспериментальные исследования проблем оптимизации методов эпитаксиального выращивания наноструктур III-N материалов; Современные технологии и материалы новых поколений
by: Жиленков А. А.
Published: (2017)

Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias; Nano Letters; Vol. 18, iss. 9
Published: (2018)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
by: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Published: (Новосибирск, 2011)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник; Вып. 5
Published: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures; Materials Science Forum; Vol. 942 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2019)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
by: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Published: (Томск, 2011)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур «полупроводник на диэлектрике»: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
by: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Published: (Томск, 2011)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
by: Васенев А. С.
Published: (2012)

Destruction of LED heterostructures under high-current electron beam irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 511 : Perspective Materials of Constructional and Medical Purpose
by: Zixuan Li
Published: (2019)

High-performance and broadband photodetection of bicrystalline (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires via crystal defect engineering; Journal of Materials Science & Technology; Vol. 85
Published: (2021)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2019)

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 5
by: Кудряшов В. Е.
Published: (2003)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
by: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Published: (Нальчик, 2013)