Механизмы переноса заряда в мемристорах на основе оксидов гафния и циркония: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Bibliographic Details
Main Author: Воронковский В. А. Виталий Александрович
Corporate Author: Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников (570)
Other Authors: Алиев В. Ш. Владимир Шакирович (научный руководитель)
Summary:Защита сост. 26.12.2023 г.
На правах рукописи
Language:Russian
Published: Новосибирск, 2023
Subjects:
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=670707

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 670707
005 20240607155719.0
090 |a 670707 
100 |a 20240214d2023 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a dm 001yy 
181 0 |a i   |b  e  
182 0 |a n 
183 0 |a nc  |2 RDAcarrier 
200 1 |a Механизмы переноса заряда в мемристорах на основе оксидов гафния и циркония  |e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  |e спец. 1.3.11  |f Воронковский Виталий Александрович  |g науч. рук. В. Ш. Алиев ; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН 
203 |a Текст  |b визуальный  |c непосредственный 
210 |a Новосибирск  |d 2023 
215 |a 25 с.  |c ил. 
283 |a volume  |2 RDAcarrier 
300 |a Защита сост. 26.12.2023 г. 
320 |a Список цитированной литературы: с. 24-25 
333 |a На правах рукописи 
606 1 |a Мемристоры  |9 88212 
610 1 |a оксид гафния 
610 1 |a оксид циркония 
610 1 |a диэлектрики 
610 1 |a нестехиометрические оксиды 
610 1 |a пленки 
610 1 |a авторефераты диссертаций 
675 |a 621.382.049.77.002(04)  |v 4 
686 |2 oksvnk  |a 01.04.10 
700 1 |a Воронковский  |b В. А.  |g Виталий Александрович 
702 1 |4 727  |a Алиев  |b В. Ш.  |g Владимир Шакирович 
712 0 2 |a Российская академия наук  |b Сибирское отделение  |b Институт физики полупроводников  |c (Новосибирск)  |9 23267  |4 570 
801 0 |a RU  |b 63413507  |c 20240214 
942 |c BK