Механизмы переноса заряда в мемристорах на основе оксидов гафния и циркония: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Механизмы переноса заряда в мемристорах на основе оксидов гафния и циркония: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Бібліографічні деталі
Автор: Воронковский В. А. Виталий Александрович
Співавтор: Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников (570)
Інші автори: Алиев В. Ш. Владимир Шакирович (научный руководитель)
Резюме:Защита сост. 26.12.2023 г.
На правах рукописи
Мова:Російська
Опубліковано: Новосибирск, 2023
Предмети:
Мемристоры
оксид гафния
оксид циркония
диэлектрики
нестехиометрические оксиды
пленки
авторефераты диссертаций
Формат: Книга
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=670707
Опис
Фізичний опис:25 с. ил.
Резюме:Защита сост. 26.12.2023 г.
На правах рукописи

Схожі ресурси