Physical mechanisms of the influence of γ-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 10

Physical mechanisms of the influence of γ-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts

Bibliografski detalji
Parent link:	Semiconductor Science and Technology Vol. 37, iss. 10.— 2022.— [105005, 18 p.]
Autor kompanije:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики
Daljnji autori:	Torkhov N. A. Nikolay Aleksandrovich, Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich, Budnaev V. Vadim, Ivonin I. V. Ivan Varfolomeevich, Novikov V. A. Vadim Aleksandrovich
Sažetak:	Title screen The results obtained here suggest that low-dose 60Co γ-irradiation (Dγ∼ 140 Gy) has a complex effect on close AuNi/n-n+-GaN{0001} Schottky contacts. This manifests in the disappearance of current steps in the initial section of the forward current-voltage curve, improvement in the average values of the ideality factor n, a decrease in the average values of the true Schottky barrier height ϕbn in the middle section and an increase in series resistance RS and enhancement of the inhomogeneous metal-semiconductor contact series resistance effect in the final section. In all cases, the observed changes are sustainable. A combination of the Zur-McGill-Smith close Schottky contact defect model, the inhomogeneous contact model and the radiation-induced defect formation model provides an explanation for the physical mechanisms of changes observed in electrophysical and instrumental characteristics after γ-irradiation. Such mechanisms are associated with changes in the electrophysical nature of GaN structural defects (dislocations and interface states) and degradation of the homogeneity of contact conductivity. This paper shows that the low-temperature anomaly also manifests itself in close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts subjected to γ-irradiation. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Jezik:	engleski
Izdano:	2022
Teme:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
Online pristup:	https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac7d71
Format:	Elektronički Poglavlje knjige
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=669559

Slični predmeti

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Izdano: (2022)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Izdano: (2017)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
od: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Izdano: (2008)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Izdano: (2016)

High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
Izdano: (2017)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
od: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Izdano: (Новосибирск, 2025)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2013)

The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
od: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Izdano: (2003)

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
od: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Izdano: (2006)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
od: Narita, Tetsuo
Izdano: (2020)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
od: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Izdano: (2012)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Izdano: (2007)

Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire; Applied Sciences; Vol. 11, iss. 20
Izdano: (2021)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Izdano: (2011)

Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment; Semiconductors; Vol. 51, iss. 2
Izdano: (2017)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
od: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Izdano: (2015)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Izdano: (2013)

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Izdano: (2015)

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Izdano: (2008)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
od: Васенев А. С.
Izdano: (2012)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
od: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Izdano: (2012)

Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects; Superlattices and Microstructures; Vol. 122
od: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Izdano: (2018)

Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates; Journal of Applied Physics; Vol. 126, iss. 8
Izdano: (2019)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2015)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Izdano: (2009)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
od: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Izdano: (2009)

Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Izdano: (2005)

Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
od: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Izdano: (2006)

Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Izdano: (2008)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2015)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
od: Ли Цзысюань
Izdano: (2017)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Izdano: (2015)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2013)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Izdano: (2015)

Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec; Physics of the Solid State; Vol. 43, iss. 3
od: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Izdano: (2001)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2011)

Исследование гальванических покрытий AuNi и AuCo методом склерометрии; Письма в Журнал технической физики; Т. 37, вып. 5
od: Шугуров А. Р. Артур Рубинович
Izdano: (2011)

Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 37, вып. 4
od: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Izdano: (2003)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2
Izdano: (2012)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
od: Ерофеев Е. В.
Izdano: (2017)