Physical mechanisms of the influence of γ-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts
| Parent link: | Semiconductor Science and Technology Vol. 37, iss. 10.— 2022.— [105005, 18 p.] |
|---|---|
| مؤلف مشترك: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики |
| مؤلفون آخرون: | Torkhov N. A. Nikolay Aleksandrovich, Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich, Budnaev V. Vadim, Ivonin I. V. Ivan Varfolomeevich, Novikov V. A. Vadim Aleksandrovich |
| الملخص: | Title screen The results obtained here suggest that low-dose 60Co γ-irradiation (Dγ∼ 140 Gy) has a complex effect on close AuNi/n-n+-GaN{0001} Schottky contacts. This manifests in the disappearance of current steps in the initial section of the forward current-voltage curve, improvement in the average values of the ideality factor n, a decrease in the average values of the true Schottky barrier height ϕbn in the middle section and an increase in series resistance RS and enhancement of the inhomogeneous metal-semiconductor contact series resistance effect in the final section. In all cases, the observed changes are sustainable. A combination of the Zur-McGill-Smith close Schottky contact defect model, the inhomogeneous contact model and the radiation-induced defect formation model provides an explanation for the physical mechanisms of changes observed in electrophysical and instrumental characteristics after γ-irradiation. Such mechanisms are associated with changes in the electrophysical nature of GaN structural defects (dislocations and interface states) and degradation of the homogeneity of contact conductivity. This paper shows that the low-temperature anomaly also manifests itself in close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts subjected to γ-irradiation. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| اللغة: | الإنجليزية |
| منشور في: |
2022
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac7d71 |
| التنسيق: | الكتروني فصل الكتاب |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=669559 |
مواد مشابهة
Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
منشور في: (2022)
منشور في: (2022)
X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
منشور في: (2017)
منشور في: (2017)
Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
حسب: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
منشور في: (2008)
حسب: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
منشور في: (2008)
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
منشور في: (2016)
منشور في: (2016)
High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
منشور في: (2017)
منشور في: (2017)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
حسب: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
منشور في: (Новосибирск, 2025)
حسب: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
منشور في: (Новосибирск, 2025)
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
حسب: Олешко В. И. Владимир Иванович
منشور في: (2013)
حسب: Олешко В. И. Владимир Иванович
منشور في: (2013)
The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
حسب: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
منشور في: (2003)
حسب: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
منشور في: (2003)
Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
حسب: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
منشور في: (2006)
حسب: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
منشور في: (2006)
Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
حسب: Narita, Tetsuo
منشور في: (2020)
حسب: Narita, Tetsuo
منشور في: (2020)
Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
حسب: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
منشور في: (2012)
حسب: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
منشور في: (2012)
"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2007)
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2007)
Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire; Applied Sciences; Vol. 11, iss. 20
منشور في: (2021)
منشور في: (2021)
Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
منشور في: (2011)
منشور في: (2011)
Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment; Semiconductors; Vol. 51, iss. 2
منشور في: (2017)
منشور في: (2017)
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
حسب: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
منشور في: (2015)
حسب: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
منشور في: (2015)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
منشور في: (2013)
منشور في: (2013)
Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2015)
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2015)
Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2008)
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2008)
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
حسب: Васенев А. С.
منشور في: (2012)
حسب: Васенев А. С.
منشور في: (2012)
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
حسب: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
منشور في: (2012)
حسب: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
منشور في: (2012)
Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects; Superlattices and Microstructures; Vol. 122
حسب: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
منشور في: (2018)
حسب: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
منشور في: (2018)
Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates; Journal of Applied Physics; Vol. 126, iss. 8
منشور في: (2019)
منشور في: (2019)
Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
حسب: Олешко В. И. Владимир Иванович
منشور في: (2015)
حسب: Олешко В. И. Владимир Иванович
منشور في: (2015)
“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2009)
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2009)
A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
حسب: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
منشور في: (2009)
حسب: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
منشور في: (2009)
Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2005)
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2005)
Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
حسب: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
منشور في: (2006)
حسب: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
منشور في: (2006)
Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2008)
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2008)
Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
حسب: Олешко В. И. Владимир Иванович
منشور في: (2015)
حسب: Олешко В. И. Владимир Иванович
منشور في: (2015)
Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
حسب: Ли Цзысюань
منشور في: (2017)
حسب: Ли Цзысюань
منشور في: (2017)
Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
منشور في: (2015)
منشور في: (2015)
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
حسب: Олешко В. И. Владимир Иванович
منشور في: (2013)
حسب: Олешко В. И. Владимир Иванович
منشور في: (2013)
Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
منشور في: (2015)
منشور في: (2015)
Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec; Physics of the Solid State; Vol. 43, iss. 3
حسب: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
منشور في: (2001)
حسب: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
منشور في: (2001)
Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
حسب: Градобоев А. В. Александр Васильевич
منشور في: (2011)
حسب: Градобоев А. В. Александр Васильевич
منشور في: (2011)
Исследование гальванических покрытий AuNi и AuCo методом склерометрии; Письма в Журнал технической физики; Т. 37, вып. 5
حسب: Шугуров А. Р. Артур Рубинович
منشور في: (2011)
حسب: Шугуров А. Р. Артур Рубинович
منشور في: (2011)
Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 37, вып. 4
حسب: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
منشور في: (2003)
حسب: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
منشور في: (2003)
Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2
منشور في: (2012)
منشور في: (2012)
Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
حسب: Ерофеев Е. В.
منشور في: (2017)
حسب: Ерофеев Е. В.
منشور في: (2017)
مواد مشابهة
-
Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
منشور في: (2022) -
X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
منشور في: (2017) -
Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
حسب: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
منشور في: (2008) -
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
منشور في: (2016) -
High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
منشور في: (2017)