Physical mechanisms of the influence of γ-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts
| Parent link: | Semiconductor Science and Technology Vol. 37, iss. 10.— 2022.— [105005, 18 p.] |
|---|---|
| Corporate Author: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики |
| Other Authors: | Torkhov N. A. Nikolay Aleksandrovich, Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich, Budnaev V. Vadim, Ivonin I. V. Ivan Varfolomeevich, Novikov V. A. Vadim Aleksandrovich |
| Summary: | Title screen The results obtained here suggest that low-dose 60Co γ-irradiation (Dγ∼ 140 Gy) has a complex effect on close AuNi/n-n+-GaN{0001} Schottky contacts. This manifests in the disappearance of current steps in the initial section of the forward current-voltage curve, improvement in the average values of the ideality factor n, a decrease in the average values of the true Schottky barrier height ϕbn in the middle section and an increase in series resistance RS and enhancement of the inhomogeneous metal-semiconductor contact series resistance effect in the final section. In all cases, the observed changes are sustainable. A combination of the Zur-McGill-Smith close Schottky contact defect model, the inhomogeneous contact model and the radiation-induced defect formation model provides an explanation for the physical mechanisms of changes observed in electrophysical and instrumental characteristics after γ-irradiation. Such mechanisms are associated with changes in the electrophysical nature of GaN structural defects (dislocations and interface states) and degradation of the homogeneity of contact conductivity. This paper shows that the low-temperature anomaly also manifests itself in close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts subjected to γ-irradiation. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Published: |
2022
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac7d71 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=669559 |
Similar Items
Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures
Published: (2022)
Published: (2022)
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Published: (2016)
Published: (2016)
X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire
Published: (2017)
Published: (2017)
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN)
Published: (2011)
Published: (2011)
Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures
by: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Published: (2012)
by: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Published: (2012)
"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2007)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2007)
Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire
Published: (2021)
Published: (2021)
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
by: Васенев А. С.
Published: (2012)
by: Васенев А. С.
Published: (2012)
High-voltage MIS-gated GaN transistors
Published: (2017)
Published: (2017)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Published: (2013)
Published: (2013)
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015)
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015)
Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2008)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2008)
Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2015)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2015)
Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2008)
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2008)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Published: (Новосибирск, 2025)
by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Published: (Новосибирск, 2025)
Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2008)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2008)
Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2005)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2005)
“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2009)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2009)
A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2009)
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2009)
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)
Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001)
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2006)
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2006)
Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)
Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)
Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates
Published: (2019)
Published: (2019)
Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
Published: (2015)
Published: (2015)
Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
by: Narita, Tetsuo
Published: (2020)
by: Narita, Tetsuo
Published: (2020)
Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2018)
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2018)
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2006)
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2006)
The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2003)
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2003)
Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
Published: (2015)
Published: (2015)
Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2001)
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2001)
Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys
Published: (2012)
Published: (2012)
К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов
by: Томашевич А. А.
Published: (2017)
by: Томашевич А. А.
Published: (2017)
Исследование гальванических покрытий AuNi и AuCo методом склерометрии
by: Шугуров А. Р. Артур Рубинович
Published: (2011)
by: Шугуров А. Р. Артур Рубинович
Published: (2011)
Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment
Published: (2017)
Published: (2017)
Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001)
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2003)
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2003)
Similar Items
-
Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures
Published: (2022) -
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Published: (2016) -
X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire
Published: (2017) -
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013) -
Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN)
Published: (2011)