Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Torkhov N. A. Nikolay Aleksandrovich, Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich, Budnaev V. Vadim, Ivonin I. V. Ivan Varfolomeevich, & Novikov V. A. Vadim Aleksandrovich. (2022). Physical mechanisms of the influence of γ-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts. 2022. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac7d71
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Torkhov N. A. Nikolay Aleksandrovich, Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich, Budnaev V. Vadim, Ivonin I. V. Ivan Varfolomeevich, and Novikov V. A. Vadim Aleksandrovich. Physical Mechanisms of the Influence of γ-ray Surface Treatment on the Characteristics of Close AuNi/n-n+-GaN Schottky Contacts. 2022, 2022. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac7d71.
MLA (9th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, et al. Physical Mechanisms of the Influence of γ-ray Surface Treatment on the Characteristics of Close AuNi/n-n+-GaN Schottky Contacts. 2022, 2022. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac7d71.