Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Torkhov N. A. Nikolay Aleksandrovich, Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich, Budnaev V. Vadim, Ivonin I. V. Ivan Varfolomeevich, & Novikov V. A. Vadim Aleksandrovich. (2022). Physical mechanisms of the influence of γ-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 10. 2022. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac7d71
Цитирование в стиле Чикаго (17-е изд.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Torkhov N. A. Nikolay Aleksandrovich, Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich, Budnaev V. Vadim, Ivonin I. V. Ivan Varfolomeevich, и Novikov V. A. Vadim Aleksandrovich. Physical Mechanisms of the Influence of γ-ray Surface Treatment on the Characteristics of Close AuNi/n-n+-GaN Schottky Contacts; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, Iss. 10. 2022, 2022. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac7d71.
Цитирование MLA (9-е изд.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, et al. Physical Mechanisms of the Influence of γ-ray Surface Treatment on the Characteristics of Close AuNi/n-n+-GaN Schottky Contacts; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, Iss. 10. 2022, 2022. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac7d71.