Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Torkhov N. A. Nikolay Aleksandrovich, Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich, Budnaev V. Vadim, Ivonin I. V. Ivan Varfolomeevich, & Novikov V. A. Vadim Aleksandrovich. (2022). Physical mechanisms of the influence of γ-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 10. 2022. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac7d71
शिकागो शैली (17वां संस्करण) प्रशस्ति पत्रНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Torkhov N. A. Nikolay Aleksandrovich, Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich, Budnaev V. Vadim, Ivonin I. V. Ivan Varfolomeevich, और Novikov V. A. Vadim Aleksandrovich. Physical Mechanisms of the Influence of γ-ray Surface Treatment on the Characteristics of Close AuNi/n-n+-GaN Schottky Contacts; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, Iss. 10. 2022, 2022. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac7d71.
एमएलए (9वां संस्करण) प्रशस्ति पत्रНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, et al. Physical Mechanisms of the Influence of γ-ray Surface Treatment on the Characteristics of Close AuNi/n-n+-GaN Schottky Contacts; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, Iss. 10. 2022, 2022. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac7d71.