Численное моделирование динамики температурных полей в монокристаллическом кремнии при импульсно-периодической высокоинтенсивной ионной имплантации и энергетическом воздействии пучка на поверхность; Известия вузов. Физика; Т. 65, № 11
| Parent link: | Известия вузов. Физика.— , 1958-2017, 2020- Т. 65, № 11.— 2022.— [С. 65-69] |
|---|---|
| Korporativní autor: | |
| Další autoři: | , , , |
| Shrnutí: | Заглавие с экрана Методы модификации поверхностных и приповерхностных слоев материалов и покрытий ионными пучками находят применение во многих областях науки и техники. Метод высокоинтенсивной имплантации пучками ионов высокой плотности мощности субмиллисекундной длительности предполагает значительный импульсный разогрев приповерхностного слоя облучаемой мишени с последующим быстрым его охлаждением за счет отвода тепла внутрь материала благодаря теплопроводности и реализацию импульсно-периодической радиационно-усиленной диффузии атомов на глубины, превышающие проективный пробег ионов. Численным моделированием исследуется динамика изменения температурных полей в пластине кремния при одноимпульсном и импульсно-периодическом воздействиях пучков ионов субмиллисекундной длительности с импульсной плотностью мощности до 109 Вт/м2. Определены условия, при которых в ионно-легируемом слое значение температуры будет соответствовать условиям радиационно-стимулированной диффузии имплантируемого элемента, а температура в матричном материале не приведет к ухудшению его микроструктуры и свойств. Methods to modify surface and near-surface layers of materials and coatings by ion beams are used in many fields of science and technology. The method of high-intensity implantation by high-power density ion beams with submillisecond duration involves significant pulsed heating of the irradiated target’s near-surface layer, followed by its rapid cooling due to heat transfer into the material due to thermal conductivity and the implementation of repetitively-pulsed radiation-enhanced diffusion of atoms to depths exceeding the projective ion range. Using the numerical simulation, this work studies the dynamics of changes in temperature fields into silicon wafer under single-pulse and repetitively-pulsed exposure to submillisecond titanium ion beam with a pulsed power density in the range up to 109 W/m2. The conditions are determined under which the temperature in the ion-doped layer will correspond to the conditions of radiation-stimulated diffusion of the implanted element, and the temperature in the matrix material will not deteriorate its microstructure and properties. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Jazyk: | ruština |
| Vydáno: |
2022
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://www.elibrary.ru/item.asp?id=49813144 Статья на английском языке |
| Médium: | Elektronický zdroj Kapitola |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=669194 |
MARC
| LEADER | 00000nla2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 669194 | ||
| 005 | 20250917125839.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\40434 | ||
| 035 | |a RU\TPU\network\40392 | ||
| 090 | |a 669194 | ||
| 100 | |a 20230228a2022 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a arcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Численное моделирование динамики температурных полей в монокристаллическом кремнии при импульсно-периодической высокоинтенсивной ионной имплантации и энергетическом воздействии пучка на поверхность |d Numerical simulation of the temperature field dynamics in single-crystalline silicon at repetitively-pulsed high-intensity ion implantation and energy impact of beam on the surface |f А. И. Иванова, Г. А. Блейхер, Д. О. Вахрушев, О. С. Корнева | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 7 назв.] | ||
| 330 | |a Методы модификации поверхностных и приповерхностных слоев материалов и покрытий ионными пучками находят применение во многих областях науки и техники. Метод высокоинтенсивной имплантации пучками ионов высокой плотности мощности субмиллисекундной длительности предполагает значительный импульсный разогрев приповерхностного слоя облучаемой мишени с последующим быстрым его охлаждением за счет отвода тепла внутрь материала благодаря теплопроводности и реализацию импульсно-периодической радиационно-усиленной диффузии атомов на глубины, превышающие проективный пробег ионов. Численным моделированием исследуется динамика изменения температурных полей в пластине кремния при одноимпульсном и импульсно-периодическом воздействиях пучков ионов субмиллисекундной длительности с импульсной плотностью мощности до 109 Вт/м2. Определены условия, при которых в ионно-легируемом слое значение температуры будет соответствовать условиям радиационно-стимулированной диффузии имплантируемого элемента, а температура в матричном материале не приведет к ухудшению его микроструктуры и свойств. | ||
| 330 | |a Methods to modify surface and near-surface layers of materials and coatings by ion beams are used in many fields of science and technology. The method of high-intensity implantation by high-power density ion beams with submillisecond duration involves significant pulsed heating of the irradiated target’s near-surface layer, followed by its rapid cooling due to heat transfer into the material due to thermal conductivity and the implementation of repetitively-pulsed radiation-enhanced diffusion of atoms to depths exceeding the projective ion range. Using the numerical simulation, this work studies the dynamics of changes in temperature fields into silicon wafer under single-pulse and repetitively-pulsed exposure to submillisecond titanium ion beam with a pulsed power density in the range up to 109 W/m2. The conditions are determined under which the temperature in the ion-doped layer will correspond to the conditions of radiation-stimulated diffusion of the implanted element, and the temperature in the matrix material will not deteriorate its microstructure and properties. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | 0 | |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191 |t Известия вузов. Физика |d 1958-2017, 2020- | |
| 463 | 0 | |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\291225 |t Т. 65, № 11 |v [С. 65-69] |d 2022 | |
| 510 | 1 | |a Numerical simulation of the temperature field dynamics in single-crystalline silicon at repetitively-pulsed high-intensity ion implantation and energy impact of beam on the surface |z eng | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a математическое моделирование | |
| 610 | 1 | |a температурные градиенты | |
| 610 | 1 | |a низкоэнергетические ионы | |
| 610 | 1 | |a высокоинтенсивные технологии | |
| 610 | 1 | |a имплантация | |
| 610 | 1 | |a кремний | |
| 701 | 1 | |a Иванова |b А. И. |c физик |c младший научный сотрудник Томского политехнического университета |f 1987- |g Анна Ивановна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\36985 |9 20001 | |
| 701 | 1 | |a Блейхер |b Г. А. |c физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1961- |g Галина Алексеевна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28948 |9 13681 | |
| 701 | 1 | |a Вахрушев |b Д. О. |c физик |c инженер Томского политехнического университета |f 1998- |g Димитрий Олегович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\47102 | |
| 701 | 1 | |a Корнева |b О. С. |c физик |c инженер Томского политехнического университета |f 1988- |g Ольга Сергеевна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\36773 |9 19812 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Инженерная школа ядерных технологий |b Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23698 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20230228 |g RCR | |
| 850 | |a 63413507 | ||
| 856 | 4 | 0 | |u https://www.elibrary.ru/item.asp?id=49813144 |z https://www.elibrary.ru/item.asp?id=49813144 |
| 856 | 4 | 0 | |u https://doi.org/10.1007/s11182-023-02843-1 |z Статья на английском языке |
| 942 | |c CF | ||