Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Grenadyorov A. S. Aleksandr Sergeevich, Oskirko V. O. Vladimir Olegovich, Solovjev A. A. Andrey Aleksandrovich, Semenov V. A. Vyacheslav Arkadjevich, Rabotkin S. V. Sergey Viktorovich, . . . Sypchenko V. S. Vladimir Sergeevich. (2022). Kinetics of plasma-assisted chemical vapor deposition combined with inductively excited RF discharge and properties of a-C: H:SiOx coatings. 2022. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2022.110982
Citazione stile Chigago Style (17a edizione)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Grenadyorov A. S. Aleksandr Sergeevich, Oskirko V. O. Vladimir Olegovich, Solovjev A. A. Andrey Aleksandrovich, Semenov V. A. Vyacheslav Arkadjevich, Rabotkin S. V. Sergey Viktorovich, Oskomov K. V. Konstantin Vladimirovich, e Sypchenko V. S. Vladimir Sergeevich. Kinetics of Plasma-assisted Chemical Vapor Deposition Combined with Inductively Excited RF Discharge and Properties of A-C: H:SiOx Coatings. 2022, 2022. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2022.110982.
Citatione MLA (9a ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, et al. Kinetics of Plasma-assisted Chemical Vapor Deposition Combined with Inductively Excited RF Discharge and Properties of A-C: H:SiOx Coatings. 2022, 2022. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2022.110982.