Граничные условия в моделях для расчета электронных состояний в полупроводниковых наноструктурах; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 12

Bibliografiska uppgifter
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957-
Т. 57, № 12.— 2014.— [С. 20-25]
Huvudupphovsman: Чернышов В. Н. Виктор Николаевич
Institutionell upphovsman: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра высшей математики
Sammanfattning:Заглавие с экрана
Предложена методика уточнения граничных условий в моделях для исследования электронных состояний в гетероструктурах, основанная на результатах псевдопотенциальных расчетов. Предложенный подход использован для расчета резонансного туннелирования электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs (113).
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Språk:ryska
Publicerad: 2014
Ämnen:
Länkar:https://elibrary.ru/item.asp?id=22895892
Materialtyp: Elektronisk Bokavsnitt
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=667448

Liknande verk