Граничные условия в моделях для расчета электронных состояний в полупроводниковых наноструктурах; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 12
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 57, № 12.— 2014.— [С. 20-25] |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Autor Corporativo: | |
| Sumario: | Заглавие с экрана Предложена методика уточнения граничных условий в моделях для исследования электронных состояний в гетероструктурах, основанная на результатах псевдопотенциальных расчетов. Предложенный подход использован для расчета резонансного туннелирования электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs (113). Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Lenguaje: | ruso |
| Publicado: |
2014
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://elibrary.ru/item.asp?id=22895892 |
| Formato: | Electrónico Capítulo de libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=667448 |