Граничные условия в моделях для расчета электронных состояний в полупроводниковых наноструктурах; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 12

Граничные условия в моделях для расчета электронных состояний в полупроводниковых наноструктурах; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 12

Podrobná bibliografie
Parent link:	Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 57, № 12.— 2014.— [С. 20-25]
Hlavní autor:	Чернышов В. Н. Виктор Николаевич
Korporativní autor:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра высшей математики
Shrnutí:	Заглавие с экрана Предложена методика уточнения граничных условий в моделях для исследования электронных состояний в гетероструктурах, основанная на результатах псевдопотенциальных расчетов. Предложенный подход использован для расчета резонансного туннелирования электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs (113). Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Jazyk:	ruština
Vydáno:	2014
Témata:	электронный ресурс труды учёных ТПУ граничные условия расчеты электронные состояния полупроводниковые наноструктуры гетероструктуры псевдопотенциалы сшивание
On-line přístup:	https://elibrary.ru/item.asp?id=22895892
Médium:	Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=667448

Internet

https://elibrary.ru/item.asp?id=22895892