Граничные условия в моделях для расчета электронных состояний в полупроводниковых наноструктурах
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 57, № 12.— 2014.— [С. 20-25] |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Autor corporatiu: | |
| Sumari: | Заглавие с экрана Предложена методика уточнения граничных условий в моделях для исследования электронных состояний в гетероструктурах, основанная на результатах псевдопотенциальных расчетов. Предложенный подход использован для расчета резонансного туннелирования электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs (113). Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
2014
|
| Matèries: | |
| Accés en línia: | https://elibrary.ru/item.asp?id=22895892 |
| Format: | Electrònic Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=667448 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 667448 | ||
| 005 | 20250313165145.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\38653 | ||
| 035 | |a RU\TPU\network\38637 | ||
| 090 | |a 667448 | ||
| 100 | |a 20220325d2014 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drgn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Граничные условия в моделях для расчета электронных состояний в полупроводниковых наноструктурах |f В. Н. Чернышов | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 6 назв.] | ||
| 330 | |a Предложена методика уточнения граничных условий в моделях для исследования электронных состояний в гетероструктурах, основанная на результатах псевдопотенциальных расчетов. Предложенный подход использован для расчета резонансного туннелирования электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs (113). | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Известия вузов. Физика |o научный журнал |f Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) |d 1957- | ||
| 463 | |t Т. 57, № 12 |v [С. 20-25] |d 2014 | ||
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a граничные условия | |
| 610 | 1 | |a расчеты | |
| 610 | 1 | |a электронные состояния | |
| 610 | 1 | |a полупроводниковые наноструктуры | |
| 610 | 1 | |a гетероструктуры | |
| 610 | 1 | |a псевдопотенциалы | |
| 610 | 1 | |a сшивание | |
| 700 | 1 | |a Чернышов |b В. Н. |c физик |c доцент Томского политехнического универсиета, кандидат физико-математических наук |f 1947- |g Виктор Николаевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\36513 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Физико-технический институт |b Кафедра высшей математики |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18728 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20220325 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u https://elibrary.ru/item.asp?id=22895892 | |
| 942 | |c CF | ||