Граничные условия в моделях для расчета электронных состояний в полупроводниковых наноструктурах

Граничные условия в моделях для расчета электронных состояний в полупроводниковых наноструктурах

Bibliographic Details
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957-
Т. 57, № 12.— 2014.— [С. 20-25]
Main Author: Чернышов В. Н. Виктор Николаевич
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра высшей математики
Summary:Заглавие с экрана
Предложена методика уточнения граничных условий в моделях для исследования электронных состояний в гетероструктурах, основанная на результатах псевдопотенциальных расчетов. Предложенный подход использован для расчета резонансного туннелирования электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs (113).
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Language:Russian
Published: 2014
Subjects:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
граничные условия
расчеты
электронные состояния
полупроводниковые наноструктуры
гетероструктуры
псевдопотенциалы
сшивание
Online Access:https://elibrary.ru/item.asp?id=22895892
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=667448
Description
Summary:Заглавие с экрана
Предложена методика уточнения граничных условий в моделях для исследования электронных состояний в гетероструктурах, основанная на результатах псевдопотенциальных расчетов. Предложенный подход использован для расчета резонансного туннелирования электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs (113).
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса

Similar Items