Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire

Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire

書誌詳細
Parent link:	Applied Sciences Vol. 11, iss. 20.— 2021.— [9419, 18 p.]
団体著者:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Центр промышленной томографии Международная научно-образовательная лаборатория неразрушающего контроля
その他の著者:	Lazarev S. V. Sergey Vladimirovich, Kim Young Yong, Gelisio L. Luca, Bi Zh. Zhaoxia, Nowzari A. Ali, Zaluzhnyy I. A. Ivan, Khubbutdinov R. M. Ruslan, Dzhigaev D. Dmitry, Jeromin A. Amo, Keller T. F. Thomas, Sprung M. Michael, Mikkelsen A. Anders, Samuelson L. Lars, Vartanyants I. A. Ivan
要約:	Title screen Semiconductor nanowires (NWs) have a broad range of applications for nano- and optoelectronics. The strain field of gallium nitride (GaN) NWs could be significantly changed when contacts are applied to them to form a final device, especially considering the piezoelectric properties of GaN. Investigation of influence of the metallic contacts on the structure of the NWs is of high importance for their applications in real devices. We have studied a series of different type of contacts and influence of the applied voltage bias on the contacted GaN NWs with the length of about 3 to 4 micrometers and with two different diameters of 200 nm and 350 nm. It was demonstrated that the NWs with the diameter of 200 nm are bend already by the interaction with the substrate. For all GaN NWs, significant structural changes were revealed after the contacts deposition. The results of our research may contribute to the future optoelectronic applications of the GaN nanowires.
出版事項:	2021
主題:	электронный ресурс труды учёных ТПУ GaN nanowires Bragg coherent diffraction piezoelectric effect finite element method нанопроволоки дифракция пьезоэлектрический эффект метод конечных элементов контакты напряжения
オンライン･アクセス:	https://doi.org/10.3390/app11209419
フォーマット:	電子媒体図書の章
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=667252

類似資料

Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias
出版事項: (2018)

High-performance and broadband photodetection of bicrystalline (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires via crystal defect engineering
出版事項: (2021)

The Influence of the Magnetic Field on the Current-Voltage Characteristics of CuPc Nanowires
出版事項: (2019)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
出版事項: (2016)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
著者:: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
出版事項: (Новосибирск, 2025)

Radiation Stability of Metal Fe0.56Ni0.44 Nanowires Exposed to Powerful Pulsed Ion Beams
出版事項: (2018)

Hydrothermal synthesis of barium titanate nano/microrods and particle agglomerates using a sodium titanate precursor
出版事項: (2021)

Сравнение решений уравнения поверхностной диффузии при помощи конечно-разностной схемы и методов теории клеточных автоматов
著者:: Тамошкин М. А.
出版事項: (2025)

Bragg coherent x-ray diffractive imaging of a single indium phosphide nanowire
出版事項: (2016)

Theoretical analysis of the strain mapping in a single core-shell nanowire by x-ray Bragg ptychography
出版事項: (2015)

The effect of the applied potentials difference on the phase composition of Co nanowires
出版事項: (2021)

Composition andband gap tailoring of crestalline (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires for enhanced photoelectrochemical performance
出版事項: (2018)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
著者:: Цзысюань Ли
出版事項: (2023)

Morphotropic phase boundary in the BFO-BTO solid solutions: role of synthesis conditions
出版事項: (2022)

К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов
著者:: Томашевич А. А.
出版事項: (2017)

Piezoelectric Response in Hybrid Micropillar Arrays of Poly(Vinylidene Fluoride) and Reduced Graphene Oxide
出版事項: (2019)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys
出版事項: (2012)

Enhanced piezoresponse and surface electric potential of hybrid biodegradable polyhydroxybutyrate scaffolds functionalized with reduced graphene oxide for tissue engineering
出版事項: (2021)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
著者:: Спирина А. А. Анна Александровна
出版事項: (Новосибирск, 2023)

Coherent radiation recoil effect for the optical diffraction radiation beam size monitor at SLAC FFTB
出版事項: (2005)

Observation of the stimulated coherent diffraction radiation in an open resonator at LUCX facility
出版事項: (2014)

Semiconducting Silicon Nanowires for Biomedical Applications
出版事項: (Amsterdam, Elsevier, 2014)

Influence of the transition metals central atom nature on the optical and electrophysical properties of phthalocyanine nanowires
出版事項: (2023)

Coherent X-ray Imaging of CO-Adsorption-Induced Structural Changes in Pt Nanoparticles: Implications for Catalysis
出版事項: (2019)

Ultra-dense planar metallic nanowire arrays with extremely large anisotropic optical and magnetic properties
出版事項: (2018)

Cubic SiC nanowire synthesis by DC arc discharge under ambient air conditions
出版事項: (2020)

Observation of Incoherent Diffraction Radiation from a Single-Edge Target in the Visible-Light Region
出版事項: (2003)

Determination of the water equivalent thickness of 3D printed samples for the therapeutic proton beams
出版事項: (2024)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire
出版事項: (2017)

Вольтамперная характеристика InGaTe₂
著者:: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
出版事項: (2015)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP
著者:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
出版事項: (2012)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers
出版事項: (1998)

Nanomaterials for Innovative Energy Systems and Devices
出版事項: (2022)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2013)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2010)

Nanosensors for Chemical and Biological Applications Sensing with Nanotubes, Nanowires and Nanoparticles
出版事項: (Amsterdam, Elsevier, 2014)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов
著者:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
出版事項: (2016)

Characteristics of Coherent Transition Radiation in the Prewave Zone from a Finite-Size Target
出版事項: (2024)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2013)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов
著者:: Нишизава Дж.-И.
出版事項: (2003)