Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire; Applied Sciences; Vol. 11, iss. 20
| Parent link: | Applied Sciences Vol. 11, iss. 20.— 2021.— [9419, 18 p.] |
|---|---|
| Tác giả của công ty: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Центр промышленной томографии Международная научно-образовательная лаборатория неразрушающего контроля |
| Tác giả khác: | Lazarev S. V. Sergey Vladimirovich, Kim Young Yong, Gelisio L. Luca, Bi Zh. Zhaoxia, Nowzari A. Ali, Zaluzhnyy I. A. Ivan, Khubbutdinov R. M. Ruslan, Dzhigaev D. Dmitry, Jeromin A. Amo, Keller T. F. Thomas, Sprung M. Michael, Mikkelsen A. Anders, Samuelson L. Lars, Vartanyants I. A. Ivan |
| Tóm tắt: | Title screen Semiconductor nanowires (NWs) have a broad range of applications for nano- and optoelectronics. The strain field of gallium nitride (GaN) NWs could be significantly changed when contacts are applied to them to form a final device, especially considering the piezoelectric properties of GaN. Investigation of influence of the metallic contacts on the structure of the NWs is of high importance for their applications in real devices. We have studied a series of different type of contacts and influence of the applied voltage bias on the contacted GaN NWs with the length of about 3 to 4 micrometers and with two different diameters of 200 nm and 350 nm. It was demonstrated that the NWs with the diameter of 200 nm are bend already by the interaction with the substrate. For all GaN NWs, significant structural changes were revealed after the contacts deposition. The results of our research may contribute to the future optoelectronic applications of the GaN nanowires. |
| Ngôn ngữ: | Tiếng Anh |
| Được phát hành: |
2021
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://doi.org/10.3390/app11209419 |
| Định dạng: | Điện tử Chương của sách |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=667252 |
Những quyển sách tương tự
Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias; Nano Letters; Vol. 18, iss. 9
Được phát hành: (2018)
Được phát hành: (2018)
High-performance and broadband photodetection of bicrystalline (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires via crystal defect engineering; Journal of Materials Science & Technology; Vol. 85
Được phát hành: (2021)
Được phát hành: (2021)
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Được phát hành: (2016)
Được phát hành: (2016)
The Influence of the Magnetic Field on the Current-Voltage Characteristics of CuPc Nanowires; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
Được phát hành: (2019)
Được phát hành: (2019)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
Bằng: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Được phát hành: (Новосибирск, 2025)
Bằng: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Được phát hành: (Новосибирск, 2025)
Hydrothermal synthesis of barium titanate nano/microrods and particle agglomerates using a sodium titanate precursor; Ceramics International; Vol. 47, iss. 7, Pt. A
Được phát hành: (2021)
Được phát hành: (2021)
Radiation Stability of Metal Fe0.56Ni0.44 Nanowires Exposed to Powerful Pulsed Ion Beams; Physics of Metals and Metallography; Vol. 119, iss. 1
Được phát hành: (2018)
Được phát hành: (2018)
Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
Bằng: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Được phát hành: (Новосибирск, 2025)
Bằng: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Được phát hành: (Новосибирск, 2025)
Сравнение решений уравнения поверхностной диффузии при помощи конечно-разностной схемы и методов теории клеточных автоматов; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 3 : Математика
Bằng: Тамошкин М. А.
Được phát hành: (2025)
Bằng: Тамошкин М. А.
Được phát hành: (2025)
The effect of the applied potentials difference on the phase composition of Co nanowires; Journal of Magnetism and Magnetic Materials; Vol. 517
Được phát hành: (2021)
Được phát hành: (2021)
Composition andband gap tailoring of crestalline (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires for enhanced photoelectrochemical performance; Inorganic Chemistry; Vol. 57, iss. 9
Được phát hành: (2018)
Được phát hành: (2018)
Bragg coherent x-ray diffractive imaging of a single indium phosphide nanowire; Journal of Optics; Vol. 18, iss. 6
Được phát hành: (2016)
Được phát hành: (2016)
Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
Bằng: Цзысюань Ли
Được phát hành: (2023)
Bằng: Цзысюань Ли
Được phát hành: (2023)
Coherent X-ray Imaging of CO-Adsorption-Induced Structural Changes in Pt Nanoparticles: Implications for Catalysis; ACS Applied Nano Materials; Vol. 2, iss. 8
Được phát hành: (2019)
Được phát hành: (2019)
Theoretical analysis of the strain mapping in a single core-shell nanowire by x-ray Bragg ptychography; Proceedings of SPIE; Vol. 9592 : X-Ray Nanoimaging: Instruments and Methods II
Được phát hành: (2015)
Được phát hành: (2015)
Observation of the stimulated coherent diffraction radiation in an open resonator at LUCX facility; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment; Vol. 763
Được phát hành: (2014)
Được phát hành: (2014)
Morphotropic phase boundary in the BFO-BTO solid solutions: role of synthesis conditions; Ferroelectrics; Vol. 590, iss. 1
Được phát hành: (2022)
Được phát hành: (2022)
Piezoelectric Response in Hybrid Micropillar Arrays of Poly(Vinylidene Fluoride) and Reduced Graphene Oxide; Polymers; Vol. 11, iss. 6
Được phát hành: (2019)
Được phát hành: (2019)
Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2
Được phát hành: (2012)
Được phát hành: (2012)
Semiconducting Silicon Nanowires for Biomedical Applications
Được phát hành: (Amsterdam, Elsevier, 2014)
Được phát hành: (Amsterdam, Elsevier, 2014)
К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 7 : IT-технологии и электроника
Bằng: Томашевич А. А.
Được phát hành: (2017)
Bằng: Томашевич А. А.
Được phát hành: (2017)
Enhanced piezoresponse and surface electric potential of hybrid biodegradable polyhydroxybutyrate scaffolds functionalized with reduced graphene oxide for tissue engineering; Nano Energy; Vol. 89
Được phát hành: (2021)
Được phát hành: (2021)
Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
Bằng: Спирина А. А. Анна Александровна
Được phát hành: (Новосибирск, 2023)
Bằng: Спирина А. А. Анна Александровна
Được phát hành: (Новосибирск, 2023)
Coherent radiation recoil effect for the optical diffraction radiation beam size monitor at SLAC FFTB; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 227, iss. 1-2
Được phát hành: (2005)
Được phát hành: (2005)
Influence of the transition metals central atom nature on the optical and electrophysical properties of phthalocyanine nanowires; Materials Chemistry and Physics; Vol. 301
Được phát hành: (2023)
Được phát hành: (2023)
Nanosensors for Chemical and Biological Applications: Sensing with Nanotubes, Nanowires and Nanoparticles
Được phát hành: (Amsterdam, Elsevier, 2014)
Được phát hành: (Amsterdam, Elsevier, 2014)
Ultra-dense planar metallic nanowire arrays with extremely large anisotropic optical and magnetic properties; Nano Research; Vol. 11, iss. 7
Được phát hành: (2018)
Được phát hành: (2018)
Cubic SiC nanowire synthesis by DC arc discharge under ambient air conditions; Surface and Coatings Technology; Vol. 387
Được phát hành: (2020)
Được phát hành: (2020)
Determination of the water equivalent thickness of 3D printed samples for the therapeutic proton beams; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment; Vol. 1061
Được phát hành: (2024)
Được phát hành: (2024)
Observation of Incoherent Diffraction Radiation from a Single-Edge Target in the Visible-Light Region; Physical Review Letters; Vol. 90, Iss. 10
Được phát hành: (2003)
Được phát hành: (2003)
Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
Bằng: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Được phát hành: (2013)
Bằng: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Được phát hành: (2013)
Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (2012)
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (2012)
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
Bằng: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Được phát hành: (2010)
Bằng: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Được phát hành: (2010)
Глубокое обучение с TensorFlow, Keras и PyTorch
Được phát hành: (Москва, ДМК Пресс, 2025)
Được phát hành: (Москва, ДМК Пресс, 2025)
Osteogenic Potential and Long-Term Enzymatic Biodegradation of PHB-based Scaffolds with Composite Magnetic Nanofillers in a Magnetic Field; ACS Applied Materials and Interfaces; Vol. 16, iss. 42
Được phát hành: (2024)
Được phát hành: (2024)
Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (2016)
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (2016)
X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Được phát hành: (2017)
Được phát hành: (2017)
Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
Bằng: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Được phát hành: (2013)
Bằng: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Được phát hành: (2013)
Nanomaterials for Innovative Energy Systems and Devices
Được phát hành: (2022)
Được phát hành: (2022)
The effects of 3D-printed samples structure on proton depth dose distribution; Radiation Physics and Chemistry; Vol. 245
Được phát hành: (2026)
Được phát hành: (2026)
Những quyển sách tương tự
-
Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias; Nano Letters; Vol. 18, iss. 9
Được phát hành: (2018) -
High-performance and broadband photodetection of bicrystalline (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires via crystal defect engineering; Journal of Materials Science & Technology; Vol. 85
Được phát hành: (2021) -
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Được phát hành: (2016) -
The Influence of the Magnetic Field on the Current-Voltage Characteristics of CuPc Nanowires; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
Được phát hành: (2019) -
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
Bằng: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Được phát hành: (Новосибирск, 2025)