Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Центр промышленной томографии Международная научно-образовательная лаборатория неразрушающего контроля, Lazarev S. V. Sergey Vladimirovich, Kim Young Yong, Gelisio L. Luca, Bi Zh. Zhaoxia, Nowzari A. Ali, . . . Vartanyants I. A. Ivan. (2021). Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire; Applied Sciences; Vol. 11, iss. 20. 2021. https://doi.org/10.3390/app11209419
Citación estilo ChicagoНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Центр промышленной томографии Международная научно-образовательная лаборатория неразрушающего контроля, et al. Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire; Applied Sciences; Vol. 11, Iss. 20. 2021, 2021. https://doi.org/10.3390/app11209419.
Cita MLAНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Центр промышленной томографии Международная научно-образовательная лаборатория неразрушающего контроля, et al. Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire; Applied Sciences; Vol. 11, Iss. 20. 2021, 2021. https://doi.org/10.3390/app11209419.