Treаtment of аluminа сerаmiсs by intense eleсtrоn аnd iоn beаms; Вестник Карагандинского университета. Серия Физика; № 2 (102)
| Parent link: | Вестник Карагандинского университета. Серия Физика № 2 (102).— 2021.— [С. 50-55] |
|---|---|
| Συλλογικό Έργο: | , |
| Άλλοι συγγραφείς: | , , , |
| Περίληψη: | The paper investigated modification of the microstructure of the surface layers of alumina ceramics under exposure to electron and ion beams. Electron beam irradiation was performed at accelerating voltage U = 15 kV and beam current of J=70 A and J=100 A. Ion irradiation was performed with carbon ions at accelerating voltage of U=180 keV. The current density and energy density varied in the range of 15-85 A/cm2 and 0.3-1.5 J/cm2 , respectively. The amount of energy acting on the ceramic surface depended on the number of pulses N. It is shown that exposure to electron and ion beams changes the microstructure of the irradiated ceramic layer. In general, the effect of exposure is similar for electron and ion irradiation, and it is characterized not only by surface melting, but also by formation of a finer microstructure through the depth of the irradiated layer, which is oriented in the direction of the electron and ion beam exposure. It is shown that crystallization processes in overheated layers of ceramics depend on its type and melting point. Исследована модификация микроструктуры приповерхностных слоев алюмооксидной керамики под действием электронных и ионных пучков. Облучение электронными пучками проводилось при ускоряющемся напряжении U=15 кВ и токе пучка J 70 и 100 А. Ионное облучение осуществлялось ионами углерода при ускоряющемся напряжении U=180 кэВ. Плотность тока и энергии варьировались в диапазоне 15-85 А/см2 и 0,3-1,5 Дж/см2 соответственно. Количество энергии, воздействующей на поверхность керамики, изменялось числом импульсов N. Показано, что воздействие электронными и ионными пучками вызывает изменения микроструктуры облученного слоя керамики. В целом, результат воздействия одинаков для электронного и ионного облучений и характеризуется не только оплавлением поверхности, но и формированием по глубине облученного слоя более мелкой микроструктуры, которая ориентирована по направлению воздействия электронных и ионных пучков. Показано, что кристаллизационные процессы в перегретых слоях керамики зависят от ее типа и температуры плавления. |
| Γλώσσα: | Αγγλικά |
| Έκδοση: |
2021
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://doi.org/10.31489/2021Ph2/50-55 |
| Μορφή: | Ηλεκτρονική πηγή Κεφάλαιο βιβλίου |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=666964 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 666964 | ||
| 005 | 20250227161257.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\38168 | ||
| 035 | |a RU\TPU\network\35932 | ||
| 090 | |a 666964 | ||
| 100 | |a 20220209d2021 k||y0rusy50 ba | ||
| 101 | 0 | |a eng | |
| 102 | |a KZ | ||
| 135 | |a drgn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Treаtment of аluminа сerаmiсs by intense eleсtrоn аnd iоn beаms |d Обработка алюмооксидной керамики интенсивными электронными и ионными пучками |f S. A. Gyngazov (Ghyngazov), V. A. Kostenko, S. V. Matrenin, A. I. Kupchishin | |
| 203 | |a Text |c electronic | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 25 назв.] | ||
| 330 | |a The paper investigated modification of the microstructure of the surface layers of alumina ceramics under exposure to electron and ion beams. Electron beam irradiation was performed at accelerating voltage U = 15 kV and beam current of J=70 A and J=100 A. Ion irradiation was performed with carbon ions at accelerating voltage of U=180 keV. The current density and energy density varied in the range of 15-85 A/cm2 and 0.3-1.5 J/cm2 , respectively. The amount of energy acting on the ceramic surface depended on the number of pulses N. It is shown that exposure to electron and ion beams changes the microstructure of the irradiated ceramic layer. In general, the effect of exposure is similar for electron and ion irradiation, and it is characterized not only by surface melting, but also by formation of a finer microstructure through the depth of the irradiated layer, which is oriented in the direction of the electron and ion beam exposure. It is shown that crystallization processes in overheated layers of ceramics depend on its type and melting point. | ||
| 330 | |a Исследована модификация микроструктуры приповерхностных слоев алюмооксидной керамики под действием электронных и ионных пучков. Облучение электронными пучками проводилось при ускоряющемся напряжении U=15 кВ и токе пучка J 70 и 100 А. Ионное облучение осуществлялось ионами углерода при ускоряющемся напряжении U=180 кэВ. Плотность тока и энергии варьировались в диапазоне 15-85 А/см2 и 0,3-1,5 Дж/см2 соответственно. Количество энергии, воздействующей на поверхность керамики, изменялось числом импульсов N. Показано, что воздействие электронными и ионными пучками вызывает изменения микроструктуры облученного слоя керамики. В целом, результат воздействия одинаков для электронного и ионного облучений и характеризуется не только оплавлением поверхности, но и формированием по глубине облученного слоя более мелкой микроструктуры, которая ориентирована по направлению воздействия электронных и ионных пучков. Показано, что кристаллизационные процессы в перегретых слоях керамики зависят от ее типа и температуры плавления. | ||
| 461 | |t Вестник Карагандинского университета. Серия Физика | ||
| 463 | |t № 2 (102) |v [С. 50-55] |d 2021 | ||
| 510 | 1 | |a Обработка алюмооксидной керамики интенсивными электронными и ионными пучками |z rus | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a electron and ion beams | |
| 610 | 1 | |a alumina ceramics | |
| 610 | 1 | |a miсrоstructure | |
| 610 | 1 | |a электронные пучки | |
| 610 | 1 | |a ионные пучки | |
| 610 | 1 | |a алюмооксидная керамика | |
| 610 | 1 | |a микроструктуры | |
| 610 | 1 | |a слои | |
| 701 | 1 | |a Gyngazov (Ghyngazov) |b S. A. |c specialist in the field of electronics |c Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |f 1958- |g Sergey Anatolievich |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\33279 |9 17024 | |
| 701 | 1 | |a Kostenko |b V. A. |c specialist in the field of electrical engineering |c Junior Researcher of the Tomsk Polytechnic University |f 1994- |g Valeria Alexandrovna |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\42079 |9 21473 | |
| 701 | 1 | |a Matrenin |b S. V. |c specialist in the field of material science |c Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences |f 1964- |g Sergey Veniaminovich |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34634 |9 17996 | |
| 701 | 1 | |a Kupchishin |b A. I. | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Инженерная школа новых производственных технологий |b Отделение материаловедения |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23508 |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Институт неразрушающего контроля |b Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19033 |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20130530 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20220209 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u https://doi.org/10.31489/2021Ph2/50-55 | |
| 942 | |c CF | ||