Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория радиоактивных веществ и технологий, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Сохорева В. В. Валентина Викторовна, Канаев В. Г. Василий Георгиевич, Кашкаров Е. Б. Егор Борисович, Кулюкина Е. С. Евгения Сергеевна, & Кузнецов С. И. Сергей Иванович. (2018). Формирование трекового шаблона облучением ПЭТФ высокоэнергетичными ионами гелия для темплейтного синтеза регулярных микроструктур; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 6. 2018. https://doi.org/10.7868/S0207352818060161
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория радиоактивных веществ и технологий, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Сохорева В. В. Валентина Викторовна, Канаев В. Г. Василий Георгиевич, Кашкаров Е. Б. Егор Борисович, Кулюкина Е. С. Евгения Сергеевна, und Кузнецов С. И. Сергей Иванович. Формирование трекового шаблона облучением ПЭТФ высокоэнергетичными ионами гелия для темплейтного синтеза регулярных микроструктур; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 6. 2018, 2018. https://doi.org/10.7868/S0207352818060161.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория радиоактивных веществ и технологий, et al. Формирование трекового шаблона облучением ПЭТФ высокоэнергетичными ионами гелия для темплейтного синтеза регулярных микроструктур; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 6. 2018, 2018. https://doi.org/10.7868/S0207352818060161.