Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория радиоактивных веществ и технологий, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Сохорева В. В. Валентина Викторовна, Канаев В. Г. Василий Георгиевич, Кашкаров Е. Б. Егор Борисович, Кулюкина Е. С. Евгения Сергеевна, & Кузнецов С. И. Сергей Иванович. (2018). Формирование трекового шаблона облучением ПЭТФ высокоэнергетичными ионами гелия для темплейтного синтеза регулярных микроструктур. 2018. https://doi.org/10.7868/S0207352818060161
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория радиоактивных веществ и технологий, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Сохорева В. В. Валентина Викторовна, Канаев В. Г. Василий Георгиевич, Кашкаров Е. Б. Егор Борисович, Кулюкина Е. С. Евгения Сергеевна, and Кузнецов С. И. Сергей Иванович. Формирование трекового шаблона облучением ПЭТФ высокоэнергетичными ионами гелия для темплейтного синтеза регулярных микроструктур. 2018, 2018. https://doi.org/10.7868/S0207352818060161.
ציטוט MLAНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория радиоактивных веществ и технологий, et al. Формирование трекового шаблона облучением ПЭТФ высокоэнергетичными ионами гелия для темплейтного синтеза регулярных микроструктур. 2018, 2018. https://doi.org/10.7868/S0207352818060161.