Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Отделение электронной инженерии, Minin I. V. Igor Vladilenovich, Minin O. V. Oleg Vladilenovich, Salvador-Sanchez J. Juan, Delgado-Notario J. A., Calvo-Gallego J, . . . Meziani Y. M. (2021). Responsivity enhancement of a strained silicon field-effect transistor detector at 0.3 THz using the terajet effect; Optics Letters; Vol. 46, iss. 13. 2021. https://doi.org/10.1364/OL.431175
Citace podle Chicago (17th ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Отделение электронной инженерии, et al. Responsivity Enhancement of a Strained Silicon Field-effect Transistor Detector at 0.3 THz Using the Terajet Effect; Optics Letters; Vol. 46, Iss. 13. 2021, 2021. https://doi.org/10.1364/OL.431175.
Citace podle MLA (9th ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Отделение электронной инженерии, et al. Responsivity Enhancement of a Strained Silicon Field-effect Transistor Detector at 0.3 THz Using the Terajet Effect; Optics Letters; Vol. 46, Iss. 13. 2021, 2021. https://doi.org/10.1364/OL.431175.