Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа химических и биомедицинских технологий, Jiang Zhi, Xiao Kuan, Chen Jinju, Wang Yan, . . . Feng Zhesheng. (2020). All-inkjet-printed high-performance flexible MoS2 and MoS2-reduced graphene oxide field-effect transistors. 2020. https://doi.org/10.1007/s10853-020-04891-1
Citazione stile Chigago Style (17a edizione)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, et al. All-inkjet-printed High-performance Flexible MoS2 and MoS2-reduced Graphene Oxide Field-effect Transistors. 2020, 2020. https://doi.org/10.1007/s10853-020-04891-1.
Citatione MLA (9a ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, et al. All-inkjet-printed High-performance Flexible MoS2 and MoS2-reduced Graphene Oxide Field-effect Transistors. 2020, 2020. https://doi.org/10.1007/s10853-020-04891-1.