High frequency CuBr vapor brightness amplifier; Electron Devices and Materials (EDM), Annual Siberian Russian Workshop; Micro/Nanotechnologies and Electron Devices

Podrobná bibliografie
Parent link:Electron Devices and Materials (EDM), Annual Siberian Russian Workshop
Micro/Nanotechnologies and Electron Devices.— 2017.— [P. 341-344]
Korporace: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Отделение электронной инженерии, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов
Další autoři: Musorov I. S. Ilia Sergeevich, Torgaev S. N. Stanislav Nikolaevich, Evtushenko G. S. Gennady Sergeevich, Kulagin A. E. Anton Evgenievich, Evtushenko T. G. Tatjyana Gennadjevna
Shrnutí:Title screen
In this paper, the experimental studies of copper bromide vapor brightness amplifiers operating at high pulse repetition frequencies are presented. The obtained results show that the injection of active hydrogen-containing additives allows to increase the radiation (gain) pulse repetition frequency in active elements with a diameter of the active zone larger than 1 cm.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Jazyk:angličtina
Vydáno: 2017
Témata:
On-line přístup:https://doi.org/10.1109/EDM.2017.7981769
Médium: Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=664569

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 664569
005 20250814134845.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\35753 
035 |a RU\TPU\network\35052 
090 |a 664569 
100 |a 20210421d2017 k y0engy50 ba 
101 0 |a eng 
102 |a US 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a High frequency CuBr vapor brightness amplifier  |f I. S. Musorov, S. N. Torgaev, G. S. Evtushenko [et al.] 
203 |a Text  |c electronic 
300 |a Title screen 
320 |a [References: 12 tit.] 
330 |a In this paper, the experimental studies of copper bromide vapor brightness amplifiers operating at high pulse repetition frequencies are presented. The obtained results show that the injection of active hydrogen-containing additives allows to increase the radiation (gain) pulse repetition frequency in active elements with a diameter of the active zone larger than 1 cm. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Electron Devices and Materials (EDM), Annual Siberian Russian Workshop 
463 |t Micro/Nanotechnologies and Electron Devices  |o 2017 18th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, Erlagol, 29 June-3 July  |o proceedings  |v [P. 341-344]  |d 2017 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a brightness amplifier 
610 1 |a high pulse repetition frequency 
610 1 |a modulator tube 
610 1 |a control system 
610 1 |a усилители 
610 1 |a яркость 
610 1 |a импульсы 
610 1 |a трубки 
610 1 |a модуляторы 
610 1 |a системы контроля 
610 1 |a высокочастотные усилители 
701 1 |a Musorov  |b I. S.  |c Specialist in the field of electronics  |c Assistant of the Department of Tomsk Polytechnic University  |f 1991-  |g Ilia Sergeevich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\39791 
701 1 |a Torgaev  |b S. N.  |c specialist in the field of electronics  |c associate Professor of Tomsk Polytechnic University, candidate of physico-mathematical Sciences  |f 1984-  |g Stanislav Nikolaevich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31663  |9 15800 
701 1 |a Evtushenko  |b G. S.  |c Doctor of Technical Sciences, Professor of Tomsk Polytechnic University (TPU)  |c Russian specialist in electrophysics  |f 1947-  |g Gennady Sergeevich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\29009  |9 13729 
701 1 |a Kulagin  |b A. E.  |c mathematician  |c Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of Physical and Mathematical Sciences  |f 1992-  |g Anton Evgenievich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\35727  |9 18885 
701 1 |a Evtushenko  |b T. G.  |g Tatjyana Gennadjevna 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности  |b Отделение электронной инженерии  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23507 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов  |c (2017- )  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23551 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20210421  |g RCR 
856 4 |u https://doi.org/10.1109/EDM.2017.7981769 
942 |c CF