Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Отделение электронной инженерии, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Musorov I. S. Ilia Sergeevich, Torgaev S. N. Stanislav Nikolaevich, Evtushenko G. S. Gennady Sergeevich, Kulagin A. E. Anton Evgenievich, & Evtushenko T. G. Tatjyana Gennadjevna. (2017). High frequency CuBr vapor brightness amplifier; Electron Devices and Materials (EDM), Annual Siberian Russian Workshop; Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. 2017. https://doi.org/10.1109/EDM.2017.7981769
Cytowanie według stylu Chicago (wyd. 17)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Отделение электронной инженерии, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Musorov I. S. Ilia Sergeevich, Torgaev S. N. Stanislav Nikolaevich, Evtushenko G. S. Gennady Sergeevich, Kulagin A. E. Anton Evgenievich, i Evtushenko T. G. Tatjyana Gennadjevna. High Frequency CuBr Vapor Brightness Amplifier; Electron Devices and Materials (EDM), Annual Siberian Russian Workshop; Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. 2017, 2017. https://doi.org/10.1109/EDM.2017.7981769.
Cytowanie według stylu MLA (wyd. 9)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Отделение электронной инженерии, et al. High Frequency CuBr Vapor Brightness Amplifier; Electron Devices and Materials (EDM), Annual Siberian Russian Workshop; Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. 2017, 2017. https://doi.org/10.1109/EDM.2017.7981769.