Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Отделение электронной инженерии, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Musorov I. S. Ilia Sergeevich, Torgaev S. N. Stanislav Nikolaevich, Evtushenko G. S. Gennady Sergeevich, Kulagin A. E. Anton Evgenievich, & Evtushenko T. G. Tatjyana Gennadjevna. (2017). High frequency CuBr vapor brightness amplifier; Electron Devices and Materials (EDM), Annual Siberian Russian Workshop; Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. 2017. https://doi.org/10.1109/EDM.2017.7981769
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Отделение электронной инженерии, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Musorov I. S. Ilia Sergeevich, Torgaev S. N. Stanislav Nikolaevich, Evtushenko G. S. Gennady Sergeevich, Kulagin A. E. Anton Evgenievich, and Evtushenko T. G. Tatjyana Gennadjevna. High Frequency CuBr Vapor Brightness Amplifier; Electron Devices and Materials (EDM), Annual Siberian Russian Workshop; Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. 2017, 2017. https://doi.org/10.1109/EDM.2017.7981769.
MLA (9th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Отделение электронной инженерии, et al. High Frequency CuBr Vapor Brightness Amplifier; Electron Devices and Materials (EDM), Annual Siberian Russian Workshop; Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. 2017, 2017. https://doi.org/10.1109/EDM.2017.7981769.