Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов, Ryabchikov A. I. Aleksandr Ilyich, Shevelev A. E. Aleksey Eduardovich, Sivin D. O. Denis Olegovich, Ivanova A. I. Anna Ivanovna, & Medvedev V. N. Vladislav Nikolaevich. (2018). Low energy, high intensity metal ion implantation method for deep dopant containing layer formation; Surface and Coatings Technology; Vol. 355. 2018. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2018.02.111
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов, Ryabchikov A. I. Aleksandr Ilyich, Shevelev A. E. Aleksey Eduardovich, Sivin D. O. Denis Olegovich, Ivanova A. I. Anna Ivanovna, and Medvedev V. N. Vladislav Nikolaevich. Low Energy, High Intensity Metal Ion Implantation Method for Deep Dopant Containing Layer Formation; Surface and Coatings Technology; Vol. 355. 2018, 2018. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2018.02.111.
MLA (9th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов, et al. Low Energy, High Intensity Metal Ion Implantation Method for Deep Dopant Containing Layer Formation; Surface and Coatings Technology; Vol. 355. 2018, 2018. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2018.02.111.