Cita APA

Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов, Ryabchikov A. I. Aleksandr Ilyich, Shevelev A. E. Aleksey Eduardovich, Sivin D. O. Denis Olegovich, Ivanova A. I. Anna Ivanovna, & Medvedev V. N. Vladislav Nikolaevich. (2018). Low energy, high intensity metal ion implantation method for deep dopant containing layer formation. 2018. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2018.02.111

Citación estilo Chicago

Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов, Ryabchikov A. I. Aleksandr Ilyich, Shevelev A. E. Aleksey Eduardovich, Sivin D. O. Denis Olegovich, Ivanova A. I. Anna Ivanovna, and Medvedev V. N. Vladislav Nikolaevich. Low Energy, High Intensity Metal Ion Implantation Method for Deep Dopant Containing Layer Formation. 2018, 2018. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2018.02.111.

Cita MLA

Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов, et al. Low Energy, High Intensity Metal Ion Implantation Method for Deep Dopant Containing Layer Formation. 2018, 2018. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2018.02.111.