Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа химических и биомедицинских технологий, Jiang Zhi, Chen Long, Chen Jin-Ju, Wang Yan, . . . Feng Zhesheng. (2020). All-inkjet-printed MoS2 field-effect transistors on paper for low-cost and flexible electronics; Applied Nanoscience; Vol. 10, iss. 9. 2020. https://doi.org/10.1007/s13204-020-01438-3
Cita Chicago Style (17a ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, et al. All-inkjet-printed MoS2 Field-effect Transistors on Paper for Low-cost and Flexible Electronics; Applied Nanoscience; Vol. 10, Iss. 9. 2020, 2020. https://doi.org/10.1007/s13204-020-01438-3.
Cita MLA (9a ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, et al. All-inkjet-printed MoS2 Field-effect Transistors on Paper for Low-cost and Flexible Electronics; Applied Nanoscience; Vol. 10, Iss. 9. 2020, 2020. https://doi.org/10.1007/s13204-020-01438-3.