Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научно-образовательный центр Б. П. Вейнберга, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Grenaderov A. S. Aleksandr Sergeevich, Soloviev A. A. Andrey Aleksandrovich, Oskomov K. V. Konstantin Vladimirovich, . . . Ivanova N. M. Nina Mikhailovna. (2019). Effect of substrate bias and substrate/plasma generator distance on properties of a-C: H:SiOx films synthesized by PACVD. 2019. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.11.005
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научно-образовательный центр Б. П. Вейнберга, et al. Effect of Substrate Bias and Substrate/plasma Generator Distance on Properties of A-C: H:SiOx Films Synthesized by PACVD. 2019, 2019. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.11.005.
MLA (9th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научно-образовательный центр Б. П. Вейнберга, et al. Effect of Substrate Bias and Substrate/plasma Generator Distance on Properties of A-C: H:SiOx Films Synthesized by PACVD. 2019, 2019. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.11.005.