Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научно-образовательный центр Б. П. Вейнберга, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Grenaderov A. S. Aleksandr Sergeevich, Soloviev A. A. Andrey Aleksandrovich, Oskomov K. V. Konstantin Vladimirovich, . . . Ivanova N. M. Nina Mikhailovna. (2019). Effect of substrate bias and substrate/plasma generator distance on properties of a-C: H:SiOx films synthesized by PACVD; Thin Solid Films; Vol. 669. 2019. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.11.005
Cita Chicago (17th ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научно-образовательный центр Б. П. Вейнберга, et al. Effect of Substrate Bias and Substrate/plasma Generator Distance on Properties of A-C: H:SiOx Films Synthesized by PACVD; Thin Solid Films; Vol. 669. 2019, 2019. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.11.005.
Cita MLA (9th ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научно-образовательный центр Б. П. Вейнберга, et al. Effect of Substrate Bias and Substrate/plasma Generator Distance on Properties of A-C: H:SiOx Films Synthesized by PACVD; Thin Solid Films; Vol. 669. 2019, 2019. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.11.005.