Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий", Liang Guoying, Zhong Haowen, Wang Younian, Zhang Shijian, Xu Mofei, . . . Le Xiaoyun. (2020). Molecular Dynamics Simulations of Vacancy Generation and Migration near a Monocrystalline Silicon Surface during Energetic Cluster Ion Implantation; Coatings; Vol. 10, iss. 2. 2020. https://doi.org/10.3390/coatings10020146
Citazione stile Chigago Style (17a edizione)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий", et al. Molecular Dynamics Simulations of Vacancy Generation and Migration Near a Monocrystalline Silicon Surface During Energetic Cluster Ion Implantation; Coatings; Vol. 10, Iss. 2. 2020, 2020. https://doi.org/10.3390/coatings10020146.
Citatione MLA (9a ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий", et al. Molecular Dynamics Simulations of Vacancy Generation and Migration Near a Monocrystalline Silicon Surface During Energetic Cluster Ion Implantation; Coatings; Vol. 10, Iss. 2. 2020, 2020. https://doi.org/10.3390/coatings10020146.