Glass composite modified with silicon carbide and gallium arsenide, that absorbs electromagnetic radiation
| Parent link: | IOP Conference Series: Materials Science and Engineering Vol. 1019 : 14th International Forum on Strategic Technology (IFOST 2019).— 2021.— [012091, 12 p.] |
|---|---|
| Autor principal: | Kazmina O. V. Olga Viktorovna |
| Autor Corporativo: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Научно-образовательный центр Н. М. Кижнера |
| Otros Autores: | Semenova V. I. Valeria Igorevna, Dorozkin K. V. |
| Sumario: | Title screen The possibility of using waste of semiconductor manufacturing containing silicon carbide and gallium arsenide as an effective additive in radio absorbing material preparation was established as a result of research. The resulting material meets the requirements of effective porous electromagnetic radiation absorbers of extremely high frequency range: maximum absorption and minimum reflection of electromagnetic radiation, fire safety, the minimum allowable level of toxic and hazardous substances. |
| Lenguaje: | inglés |
| Publicado: |
2021
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/64580 https://doi.org/10.1088/1757-899X/1019/1/012091 |
| Formato: | Electrónico Capítulo de libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=663601 |
Ejemplares similares
The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation
por: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publicado: (2012)
por: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publicado: (2012)
Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation
Publicado: (2014)
Publicado: (2014)
Gallium arsenide digital integrated circuit design
por: Long Stephen I
Publicado: (New York, McGraw-Hill, 1990)
por: Long Stephen I
Publicado: (New York, McGraw-Hill, 1990)
Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия
por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado: (2018)
por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado: (2018)
Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия
por: Стебенева В. И.
Publicado: (2018)
por: Стебенева В. И.
Publicado: (2018)
Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma
por: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publicado: (2014)
por: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publicado: (2014)
Радиозащитный композиционный материал с арсенидом галлия
Publicado: (2018)
Publicado: (2018)
The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide
por: Ayzenshtat G. I.
Publicado: (2017)
por: Ayzenshtat G. I.
Publicado: (2017)
Составы и низкотемпературная технология пористого стеклокомпозита с радиопоглощающими свойствами автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата технических наук спец. 05.17.11
por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado: (Томск, 2021)
por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado: (Томск, 2021)
A complex of spectrochemical, mass-spectrometric and atomic-absorption methods for the analysis of thin layers of gallium arsenide and silicon semiconductors [offprint]
por: Yudelevich I. G.
Publicado: (Vienna, Springer-Verlag, 1978)
por: Yudelevich I. G.
Publicado: (Vienna, Springer-Verlag, 1978)
Влияние размера пор стеклокомпозита на эффективность поглощения электромагнитного излучения крайневысокой частоты
por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado: (2021)
por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado: (2021)
Составы и низкотемпературная технология пористого стеклокомпозита с радиопоглощающими свойствами диссертация на соискание учёной степени кандидата технических наук спец. 05.17.11
por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado: (Томск, 2021)
por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado: (Томск, 2021)
Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
por: Толбанов О. П.
Publicado: (2003)
por: Толбанов О. П.
Publicado: (2003)
Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия
por: Сараева В. Е.
Publicado: (1989)
por: Сараева В. Е.
Publicado: (1989)
Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства
Publicado: (2009)
Publicado: (2009)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией
Publicado: (2014)
Publicado: (2014)
О точности метода постоянного графика при анализе чистых материалов отдельный оттиск
por: Карпель Н. Г.
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1966)
por: Карпель Н. Г.
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1966)
Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2014)
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2014)
Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства
Publicado: (2011)
Publicado: (2011)
Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация
Publicado: (2011)
Publicado: (2011)
Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicado: (Томск, 1999)
por: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicado: (Томск, 1999)
Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
por: Потапов А. И. Александр Иванович
Publicado: (Томск, 1999)
por: Потапов А. И. Александр Иванович
Publicado: (Томск, 1999)
Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2002)
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2002)
Актуальные проблемы материаловедения [сборник обзоров] пер. с англ.
Publicado: (Москва, Мир, 1980)
Publicado: (Москва, Мир, 1980)
Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2004)
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2004)
Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия
por: Карлова Г. Ф.
Publicado: (2011)
por: Карлова Г. Ф.
Publicado: (2011)
Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation
Publicado: (2009)
Publicado: (2009)
Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2012)
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2012)
Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1999)
por: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1999)
Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
por: Потапов А. И. Александр Иванович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1999)
por: Потапов А. И. Александр Иванович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1999)
Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами
por: Пешев В. В.
Publicado: (2002)
por: Пешев В. В.
Publicado: (2002)
Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
por: Максимова Н. К.
Publicado: (Томск, 1972)
por: Максимова Н. К.
Publicado: (Томск, 1972)
Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка
Publicado: (2007)
Publicado: (2007)
Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия
por: Карлова Г. Ф.
Publicado: (2003)
por: Карлова Г. Ф.
Publicado: (2003)
Physico-chemical modeling of the processes of obtaining porous glass composite in the marshalite-micro silicon-NaOH system
por: Скирдин К. В. Кирилл Вячеславович
Publicado: (2023)
por: Скирдин К. В. Кирилл Вячеславович
Publicado: (2023)
Влияние различных видов отжига на концентрационные профили ионов кремния, имплантированных в арсенид галлия
por: Чернявский А. В. Александр Викторович
Publicado: (2011)
por: Чернявский А. В. Александр Викторович
Publicado: (2011)
Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия
por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado: (2005)
por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado: (2005)
Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2002)
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2002)
Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1977)
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1977)
Исследование возможности создания ядерной батарейки на арсениде галлия
por: Прокопьев Д. Г.
Publicado: (2011)
por: Прокопьев Д. Г.
Publicado: (2011)
Ejemplares similares
-
The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation
por: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publicado: (2012) -
Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation
Publicado: (2014) -
Gallium arsenide digital integrated circuit design
por: Long Stephen I
Publicado: (New York, McGraw-Hill, 1990) -
Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия
por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado: (2018) -
Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия
por: Стебенева В. И.
Publicado: (2018)