Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Ulenekov O. N. Oleg Nikolaevich, Gromova O. V. Olga Vasilievna, Bekhtereva E. S. Elena Sergeevna, Raspopova N. I. Natalya Ivanovna, Beryozkin K. B. Kirill Borisovich, . . . Bauerekker Z. Kh. Zigurd Khermann. (2021). High-resolution study of the pentad bending triad region of silane: The 2v2,v2+v4 and 2v4 bands of 28SiH4,29SiH4 and 30SiH4. 2021. https://doi.org/10.1016/j.jqsrt.2020.107406
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Ulenekov O. N. Oleg Nikolaevich, Gromova O. V. Olga Vasilievna, Bekhtereva E. S. Elena Sergeevna, Raspopova N. I. Natalya Ivanovna, Beryozkin K. B. Kirill Borisovich, Zido K. Kristitan, and Bauerekker Z. Kh. Zigurd Khermann. High-resolution Study of the Pentad Bending Triad Region of Silane: The 2v2,v2+v4 and 2v4 Bands of 28SiH4,29SiH4 and 30SiH4. 2021, 2021. https://doi.org/10.1016/j.jqsrt.2020.107406.
MLA (9th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, et al. High-resolution Study of the Pentad Bending Triad Region of Silane: The 2v2,v2+v4 and 2v4 Bands of 28SiH4,29SiH4 and 30SiH4. 2021, 2021. https://doi.org/10.1016/j.jqsrt.2020.107406.