Поверхностная модификация ZRO2-3Y2O3 интенсивными импульсными ионными пучками N2+; Известия вузов. Физика; Т. 63, № 1 (745)
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 63, № 1 (745).— 2020.— [С. 159-161] |
|---|---|
| Autores Corporativos: | , |
| Otros Autores: | , , , , , , , |
| Sumario: | Заглавие с экрана Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Lenguaje: | ruso |
| Publicado: |
2020
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://doi.org/10.17223/00213411/63/1/159 |
| Formato: | MixedMaterials Electrónico Capítulo de libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=662838 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 662838 | ||
| 005 | 20250415112157.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\33996 | ||
| 035 | |a RU\TPU\network\30195 | ||
| 090 | |a 662838 | ||
| 100 | |a 20201111a2020 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a arcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Поверхностная модификация ZRO2-3Y2O3 интенсивными импульсными ионными пучками N2+ |d Surface Modification of ZrO2–3Y2O3 with Highintensity Pulsed N2+ Ion Beams |f С. А. Гынгазов, Zhu Xiaopeng, А. И. Пушкарёв [и др.] | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 8 назв.] | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Известия вузов. Физика |o научный журнал |f Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) |d 1957- | ||
| 463 | |t Т. 63, № 1 (745) |v [С. 159-161] |d 2020 | ||
| 510 | 1 | |a Surface Modification of ZrO2–3Y2O3 with Highintensity Pulsed N2+ Ion Beams |z eng | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a диоксид циркония | |
| 610 | 1 | |a ионные пучки | |
| 610 | 1 | |a ионы азота | |
| 610 | 1 | |a проводимость | |
| 701 | 1 | |a Гынгазов |b С. А. |c специалист в области электроники |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук |f 1958- |g Сергей Анатольевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26531 |9 12225 | |
| 701 | 0 | |a Zhu Xiaopeng | |
| 701 | 1 | |a Пушкарёв |b А. И. |c физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |c старший научный сотрудник НИИ ВН Томского политехнического университета |f 1954- |g Александр Иванович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26414 |9 12118 | |
| 701 | 1 | |a Егорова |b Ю. И. |c физик |c доцент Томского политехнического университета, кандидат технических наук |f 1988- |g Юлия Ивановна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\44263 |9 21792 | |
| 701 | 1 | |a Матренин |b С. В. |c специалист в области материаловедения |c доцент Томского политехнического университета, кандидат технических наук |f 1964- |g Сергей Вениаминович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25491 |9 11428 | |
| 701 | 1 | |a Костенко |b В. А. |c специалист в области электротехники |c младший научный сотрудник Томского политехнического университета |f 1994- |g Валерия Александровна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\42078 |9 21472 | |
| 701 | 0 | |a Zhang C. C. | |
| 701 | 0 | |a Lei Ming Kai | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Институт неразрушающего контроля |b Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19033 |9 27309 |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Инженерная школа новых производственных технологий |b Отделение материаловедения |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23508 |9 28324 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20201111 |g RCR | |
| 850 | |a 63413507 | ||
| 856 | 4 | 0 | |u https://doi.org/10.17223/00213411/63/1/159 |
| 942 | |c CF | ||