Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Отделение материаловедения, Гынгазов С. А. Сергей Анатольевич, Zhu Xiaopeng, Пушкарёв А. И. Александр Иванович, Егорова Ю. И. Юлия Ивановна, . . . Lei Ming Kai. (2020). Поверхностная модификация ZRO2-3Y2O3 интенсивными импульсными ионными пучками N2+. 2020. https://doi.org/10.17223/00213411/63/1/159
Cita Chicago (17th ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников, et al. Поверхностная модификация ZRO2-3Y2O3 интенсивными импульсными ионными пучками N2+. 2020, 2020. https://doi.org/10.17223/00213411/63/1/159.
Cita MLA (9th ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников, et al. Поверхностная модификация ZRO2-3Y2O3 интенсивными импульсными ионными пучками N2+. 2020, 2020. https://doi.org/10.17223/00213411/63/1/159.