Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Отделение материаловедения, Гынгазов С. А. Сергей Анатольевич, Zhu Xiaopeng, Пушкарёв А. И. Александр Иванович, Егорова Ю. И. Юлия Ивановна, . . . Lei Ming Kai. (2020). Поверхностная модификация ZRO2-3Y2O3 интенсивными импульсными ионными пучками N2+; Известия вузов. Физика; Т. 63, № 1 (745). 2020. https://doi.org/10.17223/00213411/63/1/159
Citazione stile Chigago Style (17a edizione)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников, et al. Поверхностная модификация ZRO2-3Y2O3 интенсивными импульсными ионными пучками N2+; Известия вузов. Физика; Т. 63, № 1 (745). 2020, 2020. https://doi.org/10.17223/00213411/63/1/159.
Citatione MLA (9a ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников, et al. Поверхностная модификация ZRO2-3Y2O3 интенсивными импульсными ионными пучками N2+; Известия вузов. Физика; Т. 63, № 1 (745). 2020, 2020. https://doi.org/10.17223/00213411/63/1/159.