Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий", Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Stepanov A. V. Andrey Vladimirovich, Zhong Haowen, Zhang Shijian, Xu Mofei, . . . Remnev G. E. Gennady Efimovich. (2020). Improvement of a powerful ion Br - Diode parameters by changing the distribution of the magnetic flux in the anode – cathode gap; Vacuum; Vol. 176. 2020. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2020.109336
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий", Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Stepanov A. V. Andrey Vladimirovich, Zhong Haowen, Zhang Shijian, Xu Mofei, Le Xiaoyun, and Remnev G. E. Gennady Efimovich. Improvement of a Powerful Ion Br - Diode Parameters by Changing the Distribution of the Magnetic Flux in the Anode – Cathode Gap; Vacuum; Vol. 176. 2020, 2020. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2020.109336.
MLA (9th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий", et al. Improvement of a Powerful Ion Br - Diode Parameters by Changing the Distribution of the Magnetic Flux in the Anode – Cathode Gap; Vacuum; Vol. 176. 2020, 2020. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2020.109336.