Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов, Ryabchikov A. I. Aleksandr Ilyich, Sivin D. O. Denis Olegovich, Dektyarev S. V. Sergey Valentinovich, & Shevelev A. E. Aleksey Eduardovich. (2020). Formation of repetitively pulsed high-intensity, low-energy silicon ion beams. 2020. https://doi.org/10.1016/j.nima.2019.163092
Chicago (17e ed.) BronvermeldingНациональный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов, Ryabchikov A. I. Aleksandr Ilyich, Sivin D. O. Denis Olegovich, Dektyarev S. V. Sergey Valentinovich, en Shevelev A. E. Aleksey Eduardovich. Formation of Repetitively Pulsed High-intensity, Low-energy Silicon Ion Beams. 2020, 2020. https://doi.org/10.1016/j.nima.2019.163092.
MLA (9e ed.) BronvermeldingНациональный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, et al. Formation of Repetitively Pulsed High-intensity, Low-energy Silicon Ion Beams. 2020, 2020. https://doi.org/10.1016/j.nima.2019.163092.