High Intensity low Aluminum Ion Energy Implantation into Titanium; Ion Implantation Technology (IIT 2018)

Detaylı Bibliyografya
Parent link:Ion Implantation Technology (IIT 2018).— 2018.— [P. 364-367]
Kurumsal yazarlar: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Отделение материаловедения, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Управление проректора по научной работе и инновациям Центр сопровождения сетевых проектов
Diğer Yazarlar: Ryabchikov A. I. Aleksandr Ilyich, Shevelev A. E. Aleksey Eduardovich, Sivin D. O. Denis Olegovich, Kashkarov E. B. Egor Borisovich, Bozhko I. A. Irina Aleksandrovna, Stepanov I. B. Igor Borisovich
Özet:Title screen
This study describes the possibility of ultra-high dose aluminum ion implantation for surface modification of titanium. The DC vacuum arc source was used to produce dense metal plasma. Plasma immersion aluminum ions extraction and their ballistic focusing in equipotential space of negatively biased hemispherical electrode was used to obtain high intensity aluminum ion beam with the maximum amplitude of 1 A at the ion current density up to hundreds of mA/cm 2 . The original filtration system was used to prevent the deposition of vacuum arc aluminum macroparticles onto the irradiation area of titanium sample. Aluminum low energy ions (ion energy E <; 10 keV) were implanted into titanium with the doses reaching 10 21 ion/cm 2 . The effect of ion current density, implantation dose and substrate temperature on the phase composition, microstructure and distribution of elements was studied by X-ray diffraction, scanning electron microscopy and glow-discharge optical emission spectroscopy, respectively. The results show the appearance of Ti 3 Al intermetallic phase after Al implantation. The depth of aluminum penetration into titanium increases with the implantation dose and multiply exceeds the projected ranges of ions of given energies.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Dil:İngilizce
Baskı/Yayın Bilgisi: 2018
Konular:
Online Erişim:https://doi.org/10.1109/IIT.2018.8807970
Materyal Türü: Elektronik Kitap Bölümü
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=661349

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 661349
005 20250829132832.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\31692 
035 |a RU\TPU\network\28137 
090 |a 661349 
100 |a 20191203d2018 k y0engy50 ca 
101 0 |a eng 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a High Intensity low Aluminum Ion Energy Implantation into Titanium  |f A. I. Ryabchikov [et al.] 
203 |a Text  |c electronic 
300 |a Title screen 
320 |a [References: 11 tit.] 
330 |a This study describes the possibility of ultra-high dose aluminum ion implantation for surface modification of titanium. The DC vacuum arc source was used to produce dense metal plasma. Plasma immersion aluminum ions extraction and their ballistic focusing in equipotential space of negatively biased hemispherical electrode was used to obtain high intensity aluminum ion beam with the maximum amplitude of 1 A at the ion current density up to hundreds of mA/cm 2 . The original filtration system was used to prevent the deposition of vacuum arc aluminum macroparticles onto the irradiation area of titanium sample. Aluminum low energy ions (ion energy E <; 10 keV) were implanted into titanium with the doses reaching 10 21 ion/cm 2 . The effect of ion current density, implantation dose and substrate temperature on the phase composition, microstructure and distribution of elements was studied by X-ray diffraction, scanning electron microscopy and glow-discharge optical emission spectroscopy, respectively. The results show the appearance of Ti 3 Al intermetallic phase after Al implantation. The depth of aluminum penetration into titanium increases with the implantation dose and multiply exceeds the projected ranges of ions of given energies. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
463 |t Ion Implantation Technology (IIT 2018)   |o Proceedings 22nd International Conference, 16-21, 2018 Congress Centrum, Würzburg, Germany  |v [P. 364-367]  |d 2018 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a high intensity implantation 
610 1 |a low energy ions 
610 1 |a aluminum 
610 1 |a intermetallic phases 
610 1 |a имплантация 
610 1 |a высокая эффективность 
610 1 |a низкоэнергетические ионы 
610 1 |a алюминий 
610 1 |a интерметаллические фазы 
701 1 |a Ryabchikov  |b A. I.  |c Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences  |c physicist  |f 1950-  |g Aleksandr Ilyich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30912 
701 1 |a Shevelev  |b A. E.  |c Physicist  |c Engineer of Tomsk Polytechnic University  |f 1990-  |g Aleksey Eduardovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\36832 
701 1 |a Sivin  |b D. O.  |c physicist  |c Senior researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences  |f 1978-  |g Denis Olegovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34240 
701 1 |a Kashkarov  |b E. B.  |c Physicist  |c Associate Professor, Researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of Physical and Mathematical Sciences  |f 1991-  |g Egor Borisovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34949  |9 18267 
701 1 |a Bozhko  |b I. A.  |c physicist  |c Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences  |f 1980-  |g Irina Aleksandrovna  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34206  |9 17740 
701 1 |a Stepanov  |b I. B.  |c physicist  |c Head of the laboratory of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences  |f 1968-  |g Igor Borisovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34218 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Инженерная школа ядерных технологий  |b Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23698 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Инженерная школа ядерных технологий  |b Отделение экспериментальной физики  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23549 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Инженерная школа новых производственных технологий  |b Отделение материаловедения  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23508 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Управление проректора по научной работе и инновациям  |b Центр сопровождения сетевых проектов  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\21396 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20191203  |g RCR 
856 4 |u https://doi.org/10.1109/IIT.2018.8807970 
942 |c CF