Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Международная научно-образовательная лаборатория неразрушающего контроля, Barchuk M. Mykhailo, Motylenko M. V. Mykhaylo, Schneider T, Forste M, Roder Ch. Christian, . . . Rafaja D. David. (2019). Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates. 2019. https://doi.org/10.1063/1.5092284
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Международная научно-образовательная лаборатория неразрушающего контроля, et al. Defect-rich GaN Interlayer Facilitating the Annihilation of Threading Dislocations in Polar GaN Crystals Grown on (0001)-oriented Sapphire Substrates. 2019, 2019. https://doi.org/10.1063/1.5092284.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Международная научно-образовательная лаборатория неразрушающего контроля, et al. Defect-rich GaN Interlayer Facilitating the Annihilation of Threading Dislocations in Polar GaN Crystals Grown on (0001)-oriented Sapphire Substrates. 2019, 2019. https://doi.org/10.1063/1.5092284.