Ultra high fluence implantation of aluminum ions into CP–Ti

Bibliographic Details
Parent link:Journal of Alloys and Compounds
Vol. 793.— 2019.— [P. 604-612]
Corporate Authors: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Отделение материаловедения, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научно-образовательный центр Б. П. Вейнберга
Other Authors: Ryabchikov A. I. Aleksandr Ilyich, Shevelev A. E. Aleksey Eduardovich, Sivin D. O. Denis Olegovich, Bozhko I. A. Irina Aleksandrovna, Kashkarov E. B. Egor Borisovich, Bleykher (Bleicher) G. A. Galina Alekseevna, Stepanov I. B. Igor Borisovich, Ivanova A. I. Anna Ivanovna
Summary:Title screen
This study describes the possibility of ultra-high fluence low ion energy aluminum implantation for surface modification of titanium. The DC vacuum arc source was used to produce dense metal plasma. Plasma immersion aluminum ions extraction and their ballistic focusing in equipotential space of negatively biased hemispherical electrode were used to obtain high-intensity aluminum ion beam with the maximum amplitude of 0.6?A?at the ion current density up to 200?mA/cm2. The original filtration system was used to prevent the deposition of vacuum arc aluminum macroparticles onto the irradiated area of titanium sample. Aluminum low energy ions (mean ion energy 2.6?keV) were implanted into titanium with the fluences reaching 1021?ion/cm2. The effect of substrate temperature, ion current density on the phase composition, microstructure and elemental distribution was studied by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, glow-discharge optical emission spectroscopy and transmission electron microscopy. The results show the appearance of Ti3Al intermetallic phase after Al implantation. The depth of aluminum penetration into titanium increases with the substrate temperature and multiply exceeds the projected ranges of ions of given energies and reaches several dozens of μm.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published: 2019
Subjects:
Online Access:https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.04.179
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=661221

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 661221
005 20250414140556.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\31485 
090 |a 661221 
100 |a 20191125d2019 k||y0rusy50 ba 
101 0 |a eng 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Ultra high fluence implantation of aluminum ions into CP–Ti  |f A. I. Ryabchikov [et al.] 
203 |a Text  |c electronic 
300 |a Title screen 
320 |a [References: 43 tit.] 
330 |a This study describes the possibility of ultra-high fluence low ion energy aluminum implantation for surface modification of titanium. The DC vacuum arc source was used to produce dense metal plasma. Plasma immersion aluminum ions extraction and their ballistic focusing in equipotential space of negatively biased hemispherical electrode were used to obtain high-intensity aluminum ion beam with the maximum amplitude of 0.6?A?at the ion current density up to 200?mA/cm2. The original filtration system was used to prevent the deposition of vacuum arc aluminum macroparticles onto the irradiated area of titanium sample. Aluminum low energy ions (mean ion energy 2.6?keV) were implanted into titanium with the fluences reaching 1021?ion/cm2. The effect of substrate temperature, ion current density on the phase composition, microstructure and elemental distribution was studied by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, glow-discharge optical emission spectroscopy and transmission electron microscopy. The results show the appearance of Ti3Al intermetallic phase after Al implantation. The depth of aluminum penetration into titanium increases with the substrate temperature and multiply exceeds the projected ranges of ions of given energies and reaches several dozens of μm. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Journal of Alloys and Compounds 
463 |t Vol. 793  |v [P. 604-612]  |d 2019 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a ion implantation 
610 1 |a intermetallic 
610 1 |a low-energy ion beams 
610 1 |a titanium 
610 1 |a aluminum 
610 1 |a ионная имплантация 
610 1 |a ионные пучки 
610 1 |a титан 
610 1 |a алюминий 
701 1 |a Ryabchikov  |b A. I.  |c Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences  |c physicist  |f 1950-  |g Aleksandr Ilyich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30912 
701 1 |a Shevelev  |b A. E.  |c Physicist  |c Engineer of Tomsk Polytechnic University  |f 1990-  |g Aleksey Eduardovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\36832 
701 1 |a Sivin  |b D. O.  |c physicist  |c Senior researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences  |f 1978-  |g Denis Olegovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34240 
701 1 |a Bozhko  |b I. A.  |c physicist  |c Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences  |f 1980-  |g Irina Aleksandrovna  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34206  |9 17740 
701 1 |a Kashkarov  |b E. B.  |c Physicist  |c Associate Professor, Researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of Physical and Mathematical Sciences  |f 1991-  |g Egor Borisovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34949  |9 18267 
701 1 |a Bleykher (Bleicher)  |b G. A.  |c physicist  |c Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of Physical and Mathematical Sciences  |f 1961-  |g Galina Alekseevna  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31496  |9 15657 
701 1 |a Stepanov  |b I. B.  |c physicist  |c Head of the laboratory of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences  |f 1968-  |g Igor Borisovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34218 
701 1 |a Ivanova  |b A. I.  |c physicist  |c Associate Scientist of Tomsk Polytechnic University  |f 1987-  |g Anna Ivanovna  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\36986  |9 20002 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Инженерная школа новых производственных технологий  |b Отделение материаловедения  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23508 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Инженерная школа ядерных технологий  |b Отделение экспериментальной физики  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23549 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Инженерная школа ядерных технологий  |b Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23698 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Инженерная школа ядерных технологий  |b Научно-образовательный центр Б. П. Вейнберга  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23561 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20191125  |g RCR 
850 |a 63413507 
856 4 |u https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.04.179 
942 |c CF