Effects of size quantization in the spectra and Γ − M transitions in (GaAs)m(AlAs)n(001) superlattices; Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures; Vol. 103

Библиографические подробности
Источник:Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
Vol. 103.— 2018.— [P. 180-187]
Главный автор: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Корпоративные авторы: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Школа базовой инженерной подготовки Отделение естественных наук
Другие авторы: Nikitina L. N. Larisa Nikolaevna, Tyuterev V. G. Valery Grigorjevich
Примечания:Title screen
Based on the pseudopotential method and the phenomenological model of coupling forces, electron scattering by short-wavelength phonons in the conduction band of superlattices (GaAs)m(AlAs)n with thin layers (n, m ≤ 10) is studied. Intervalley deformation potentials for transitions between the lower states of the Γ and Mvalleys of superlattices, which are analogs of the sphalerite transitions of Γ̲−X̲ and X̲−X̲̃, are calculated. The intensity of the Γ − M transitions is determined mainly by the longitudinal optical vibrations of the Al atoms and depends strongly on the mixing of the states Γ̲ and X̲. The capture of phonons and electrons in AlAs layers leads to an increase in the deformation potentials of X̲−X̲̃ transitions.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Язык:английский
Опубликовано: 2018
Предметы:
Online-ссылка:https://doi.org/10.1016/j.physe.2018.05.034
Формат: Электронный ресурс Статья
Запись в KOHA:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=659787

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 659787
005 20250328120818.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\28583 
035 |a RU\TPU\network\9893 
090 |a 659787 
100 |a 20190329d2018 k||u0rusy50 ba 
101 1 |a eng 
102 |a NL 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Effects of size quantization in the spectra and Γ − M transitions in (GaAs)m(AlAs)n(001) superlattices  |f S. N. Grinyaev, L. N. Nikitina, V. G. Tyuterev 
203 |a Text  |c electronic 
300 |a Title screen 
320 |a [References: 15 tit.] 
330 |a Based on the pseudopotential method and the phenomenological model of coupling forces, electron scattering by short-wavelength phonons in the conduction band of superlattices (GaAs)m(AlAs)n with thin layers (n, m ≤ 10) is studied. Intervalley deformation potentials for transitions between the lower states of the Γ and Mvalleys of superlattices, which are analogs of the sphalerite transitions of Γ̲−X̲ and X̲−X̲̃, are calculated. The intensity of the Γ − M transitions is determined mainly by the longitudinal optical vibrations of the Al atoms and depends strongly on the mixing of the states Γ̲ and X̲. The capture of phonons and electrons in AlAs layers leads to an increase in the deformation potentials of X̲−X̲̃ transitions. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 
463 |t Vol. 103  |v [P. 180-187]  |d 2018 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a electron-phonon interaction 
610 1 |a intervalley transitions 
610 1 |a binary superlattices 
610 1 |a электрон-фононное взаимодействие 
610 1 |a междолинный перенос 
610 1 |a бинарные поверхности 
610 1 |a сверхрешетки 
700 1 |a Grinyaev  |b S. N.  |c physicist  |c Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical science  |f 1951-  |g Sergey Nikolaevich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32574 
701 1 |a Nikitina  |b L. N.  |c physicist  |c associate Professor of Tomsk Polytechnic University, candidate of physico-mathematical Sciences  |f 1978-  |g Larisa Nikolaevna  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\36237  |9 19314 
701 1 |a Tyuterev  |b V. G.  |g Valery Grigorjevich 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов  |c (2017- )  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23551 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Школа базовой инженерной подготовки  |b Отделение естественных наук  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23562 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20190329  |g RCR 
856 4 0 |u https://doi.org/10.1016/j.physe.2018.05.034 
942 |c CF