• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Pokročilé
  • 20th International Symposium o...
  • Vytvořit citaci
  • Zaslat SMS
  • Poslat e-mailem
  • Vytisknout
  • Exportovat záznam
    • Exportovat do RefWorks
    • Exportovat do EndNoteWeb
    • Exportovat do EndNote
  • Trvalý odkaz
20th International Symposium on High-Current Electronics (ISHCE): proceedings, Tomsk, Russia, September 16-22, 2018

20th International Symposium on High-Current Electronics (ISHCE): proceedings, Tomsk, Russia, September 16-22, 2018

Podrobná bibliografie
Korporace: Томский политехнический университет, Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), International Symposium on High-Current Electronics (ISHCE)
Shrnutí:Title screen
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Jazyk:angličtina
Vydáno: [S. l.], IEEE, 2018
Témata:
Электроника
конференции
труды учёных ТПУ
электронный ресурс
сильноточная электроника
численное моделирование
ионные пучки
высокоэнергетические частицы
плазменные источники
электромагнитные волны
излучение
On-line přístup:https://ieeexplore.ieee.org/xpl/mostRecentIssue.jsp?punumber=8496739
Médium: Elektronický zdroj Kniha
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=659342
  • Jednotky
  • Popis
  • Podobné jednotky
  • UNIMARC/MARC

Internet

https://ieeexplore.ieee.org/xpl/mostRecentIssue.jsp?punumber=8496739

Podobné jednotky

  • 16th International Symposium on High Current Electronics, Tomsk, 19-24 September 2010: proceedings
    Vydáno: (Tomsk, Institute of High Current Electronics, 2010)
  • 15 th International Symposium on High Current Electronics, Tomsk, 21-26 September 2008; [15 Международный симпозиум по сильноточной электронике, Томск, 21-26 сентября 2008 г.]: proceedings
    Vydáno: (Tomsk, Institute of High Current Electronics, 2008)
  • Температурная зависимость подвижности высокоэнергетических зонных электронов в диэлектирических кристаллах; Тезисы докладов на 6 Всесоюзном симпозиуме по сильноточной электроннике (Томск, 1986); Ч. 3
    Vydáno: (1986)
  • Power Electronics Handbook. Devices, Circuits, and Applications
    Vydáno: (Burlington, Elsevier, 2011)
  • Hydrogen Inverse Z-Pinch at the High-Current Generator MIG; 13 International symposium on high current electronics
    Vydáno: (2004)