Модифицирование прочностных свойств оксидных материалов ионным облучением; Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения; Т. 18, № 2
| Parent link: | Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения Т. 18, № 2.— 2018.— [С. 249-252] |
|---|---|
| Main Author: | |
| Corporate Author: | |
| Other Authors: | |
| Summary: | Заглавие с титульного листа Исследовано влияние ионной обработки на прочностные характеристики окиси магния и керамики на основе диоксида циркония. Облучение керамики проводилось в непрерывном режиме ионами Si+, Fe+,Al+, Ar+, N+ и импульсном режиме ионами C+. Энергия ионов варьировалась от 50 до 150 кэВ. Ионное облучение окиси магния приводит к образованию дополнительного числа дислокаций на глубине до 10 раз превышающей глубину экстраполированного пробега ионов. При этом увеличивается трещиностойкость и критический коэффициент интенсивности напряжений. Ионное облучение керамики на основе диоксида циркония приводит к упрочнению ее приповерхностных слоев. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Language: | Russian |
| Published: |
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://elibrary.ru/item.asp?id=36710117 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=659313 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 659313 | ||
| 005 | 20250321141515.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\27835 | ||
| 090 | |a 659313 | ||
| 100 | |a 20190205d2018 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drgn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Модифицирование прочностных свойств оксидных материалов ионным облучением |f С. А. Гынгазов, В. Костенко | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с титульного листа | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 6 назв.] | ||
| 330 | |a Исследовано влияние ионной обработки на прочностные характеристики окиси магния и керамики на основе диоксида циркония. Облучение керамики проводилось в непрерывном режиме ионами Si+, Fe+,Al+, Ar+, N+ и импульсном режиме ионами C+. Энергия ионов варьировалась от 50 до 150 кэВ. Ионное облучение окиси магния приводит к образованию дополнительного числа дислокаций на глубине до 10 раз превышающей глубину экстраполированного пробега ионов. При этом увеличивается трещиностойкость и критический коэффициент интенсивности напряжений. Ионное облучение керамики на основе диоксида циркония приводит к упрочнению ее приповерхностных слоев. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения | ||
| 463 | |t Т. 18, № 2 |v [С. 249-252] |d 2018 | ||
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a ионное облучение | |
| 610 | 1 | |a окись магния | |
| 610 | 1 | |a прочностные свойства | |
| 610 | 1 | |a диоксид циркония | |
| 700 | 1 | |a Гынгазов |b С. А. |c специалист в области электроники |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук |f 1958- |g Сергей Анатольевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26531 |9 12225 | |
| 701 | 1 | |a Костенко |b В. |c специалист в области электротехники |c лаборант-исследователь Томского политехнического университета |f 1994- |g Валерия |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\42078 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Институт неразрушающего контроля (ИНК) |b Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников (ПНИЛ ЭДиП) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19033 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20190205 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u https://elibrary.ru/item.asp?id=36710117 | |
| 942 | |c CF | ||