Получение материала на основе bSiC и углеродных волокон электродуговым методом

Podrobná bibliografie
Parent link:	Материаловедение: научно-технический журнал.— , 2001-.— 1684-579X № 10.— 2018.— [С. 41-44]
Korporace:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа информационных технологий и робототехники Отделение автоматизации и робототехники (ОАР), Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа энергетики Отделение электроэнергетики и электротехники (ОЭЭ)
Další autoři:	Пак А. Я. Александр Яковлевич, Ивашутенко А. С. Александр Сергеевич, Болотникова О. А. Ольга Александровна, Захарова А. А. Алена Александровна
Shrnutí:	Заглавие с экрана В работе изложен метод получения материала, состоящего преимущественно из углеродных волокон с графитоподобной структурой (Свол) и кубической фазы карбида кремния βSiC в плазме дуги постоянного тока. Разработанный метод синтеза характеризуется рядом достоинств, таких как: отсутствие необходимости применения защитных газов, простота реализации, кратковременность рабочего цикла системы (секунды). Судя по данным растровой электронной микроскопии, полученные кристаллы карбида кремния имеют типичную правильную огранку, характеризуются широким распределением частиц по размерам от менее чем 1 мкм до десятков мкм, кристаллы карбида кремния растут на поверхности углеродных волокон, причем их средний размер уменьшается при приближении к границе раздела между поверхностью графитового волокна и карбидом кремния. A method for producing amaterial consisting mainly of carbon fibers with a graphite-like structure and the cubic phase of silicon carbide ?SiC in dc arc plasma is described. The developed method of synthesis is characterized by several advantages such as lack of need to use protective gases, simplicity of implementation, short duration of the system's operating cycle (seconds). According to the scanning electron microscopy, the silicon carbide crystals have a typical shape, are characterized by a wide particle size distribution (from less than 1 to10 ?m). Silicon carbide crystals grow on the surface of the carbon fibers, and their average size decreases near the surface interface of graphite fiber and silicon carbide. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Vydáno:	2018
Témata:	электронный ресурс труды учёных ТПУ карбид кремния углеродные волокна дуговой разряд воздух
On-line přístup:	https://elibrary.ru/item.asp?id=36285462
Médium:	Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=659310