Получение материала на основе bSiC и углеродных волокон электродуговым методом; Материаловедение; № 10

Dettagli Bibliografici
Parent link:Материаловедение: научно-технический журнал.— , 2001-.— 1684-579X
№ 10.— 2018.— [С. 41-44]
Enti autori: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа информационных технологий и робототехники Отделение автоматизации и робототехники (ОАР), Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа энергетики Отделение электроэнергетики и электротехники (ОЭЭ)
Altri autori: Пак А. Я. Александр Яковлевич, Ивашутенко А. С. Александр Сергеевич, Болотникова О. А. Ольга Александровна, Захарова А. А. Алена Александровна
Riassunto:Заглавие с экрана
В работе изложен метод получения материала, состоящего преимущественно из углеродных волокон с графитоподобной структурой (Свол) и кубической фазы карбида кремния βSiC в плазме дуги постоянного тока. Разработанный метод синтеза характеризуется рядом достоинств, таких как: отсутствие необходимости применения защитных газов, простота реализации, кратковременность рабочего цикла системы (секунды). Судя по данным растровой электронной микроскопии, полученные кристаллы карбида кремния имеют типичную правильную огранку, характеризуются широким распределением частиц по размерам от менее чем 1 мкм до десятков мкм, кристаллы карбида кремния растут на поверхности углеродных волокон, причем их средний размер уменьшается при приближении к границе раздела между поверхностью графитового волокна и карбидом кремния.
A method for producing amaterial consisting mainly of carbon fibers with a graphite-like structure and the cubic phase of silicon carbide ?SiC in dc arc plasma is described. The developed method of synthesis is characterized by several advantages such as lack of need to use protective gases, simplicity of implementation, short duration of the system's operating cycle (seconds). According to the scanning electron microscopy, the silicon carbide crystals have a typical shape, are characterized by a wide particle size distribution (from less than 1 to10 ?m). Silicon carbide crystals grow on the surface of the carbon fibers, and their average size decreases near the surface interface of graphite fiber and silicon carbide.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Lingua:russo
Pubblicazione: 2018
Soggetti:
Accesso online:https://elibrary.ru/item.asp?id=36285462
Natura: Elettronico Capitolo di libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=659310

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 659310
005 20250826153457.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\27832 
090 |a 659310 
100 |a 20190205d2018 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Получение материала на основе bSiC и углеродных волокон электродуговым методом  |d Production of bSiC based material and carbon fibers by electric arc method  |f А. Я. Пак [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: 22 назв.] 
330 |a В работе изложен метод получения материала, состоящего преимущественно из углеродных волокон с графитоподобной структурой (Свол) и кубической фазы карбида кремния βSiC в плазме дуги постоянного тока. Разработанный метод синтеза характеризуется рядом достоинств, таких как: отсутствие необходимости применения защитных газов, простота реализации, кратковременность рабочего цикла системы (секунды). Судя по данным растровой электронной микроскопии, полученные кристаллы карбида кремния имеют типичную правильную огранку, характеризуются широким распределением частиц по размерам от менее чем 1 мкм до десятков мкм, кристаллы карбида кремния растут на поверхности углеродных волокон, причем их средний размер уменьшается при приближении к границе раздела между поверхностью графитового волокна и карбидом кремния. 
330 |a A method for producing amaterial consisting mainly of carbon fibers with a graphite-like structure and the cubic phase of silicon carbide ?SiC in dc arc plasma is described. The developed method of synthesis is characterized by several advantages such as lack of need to use protective gases, simplicity of implementation, short duration of the system's operating cycle (seconds). According to the scanning electron microscopy, the silicon carbide crystals have a typical shape, are characterized by a wide particle size distribution (from less than 1 to10 ?m). Silicon carbide crystals grow on the surface of the carbon fibers, and their average size decreases near the surface interface of graphite fiber and silicon carbide. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 0 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\1134  |x 1684-579X  |t Материаловедение  |o научно-технический журнал  |d 2001- 
463 |t № 10  |v [С. 41-44]  |d 2018 
510 1 |a Production of bSiC based material and carbon fibers by electric arc method  |z eng 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a карбид кремния 
610 1 |a углеродные волокна 
610 1 |a дуговой разряд 
610 1 |a воздух 
701 1 |a Пак  |b А. Я.  |c специалист в области электротехники  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1986-  |g Александр Яковлевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30051  |9 14481 
701 1 |a Ивашутенко  |b А. С.  |c специалист в области электротехники  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат технических наук  |f 1981-  |g Александр Сергеевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\29575  |9 14110 
701 1 |a Болотникова  |b О. А.  |g Ольга Александровна 
701 1 |a Захарова  |b А. А.  |c специалист в области информатики и вычислительной техники  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1972-  |g Алена Александровна  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25392 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Инженерная школа информационных технологий и робототехники  |b Отделение автоматизации и робототехники (ОАР)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23553 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Инженерная школа энергетики  |b Отделение электроэнергетики и электротехники (ОЭЭ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23505 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20190225  |g RCR 
856 4 |u https://elibrary.ru/item.asp?id=36285462 
942 |c CF