Полупроводниковый датчик L-диапазона с компрессией импульсов излучения

Detaylı Bibliyografya
Parent link:Журнал радиоэлектроники: электронный журнал/ Российская академия наук (РАН), Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова (ИРЭ).— , 1998-
№ 12.— 2018.— [8 с.]
Müşterek Yazar: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научно-исследовательская лаборатория СВЧ-технологии
Diğer Yazarlar: Никифоров А. Антон, Чумерин П. Ю. Павел Юрьевич, Слинко В. Н. Владимир Николаевич, Ваулин В. А. Виктор Алексеевич
Özet:Заглавие с экрана
Приведены результаты разработки и исследования источника СВЧ излучения с компрессией импульса на выходе полупроводникового генератора. В результате разработан макет источника с параметрами: пиковая мощность 1,78 кВт, длительность импульса по уровню -3 дБ 5 нс, частота следования импульсов 250 Гц, несущая частота излучения 848 МГц. Материалы статьи докладывались на VI Всероссийской Микроволновой конференции.
The results of the development and research of the microwave source with pulse compression at the output of a semiconductor generator are given. As a result, a model of a microwave source layout was developed with the following parameters: peak power 1.78 kW, pulse duration at -3 dB level 5 ns, pulse repetition rate 250 Hz, carrier frequency 848 MHz.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Baskı/Yayın Bilgisi: 2018
Konular:
Online Erişim:https://elibrary.ru/item.asp?id=36715877
Materyal Türü: Elektronik Kitap Bölümü
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=659125