Полупроводниковый датчик L-диапазона с компрессией импульсов излучения; Журнал радиоэлектроники; № 12
| Parent link: | Журнал радиоэлектроники: электронный журнал/ Российская академия наук (РАН), Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова (ИРЭ).— , 1998- № 12.— 2018.— [8 с.] |
|---|---|
| Autor corporatiu: | |
| Altres autors: | , , , |
| Sumari: | Заглавие с экрана Приведены результаты разработки и исследования источника СВЧ излучения с компрессией импульса на выходе полупроводникового генератора. В результате разработан макет источника с параметрами: пиковая мощность 1,78 кВт, длительность импульса по уровню -3 дБ 5 нс, частота следования импульсов 250 Гц, несущая частота излучения 848 МГц. Материалы статьи докладывались на VI Всероссийской Микроволновой конференции. The results of the development and research of the microwave source with pulse compression at the output of a semiconductor generator are given. As a result, a model of a microwave source layout was developed with the following parameters: peak power 1.78 kW, pulse duration at -3 dB level 5 ns, pulse repetition rate 250 Hz, carrier frequency 848 MHz. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
2018
|
| Matèries: | |
| Accés en línia: | https://elibrary.ru/item.asp?id=36715877 |
| Format: | Electrònic Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=659125 |
| Sumari: | Заглавие с экрана Приведены результаты разработки и исследования источника СВЧ излучения с компрессией импульса на выходе полупроводникового генератора. В результате разработан макет источника с параметрами: пиковая мощность 1,78 кВт, длительность импульса по уровню -3 дБ 5 нс, частота следования импульсов 250 Гц, несущая частота излучения 848 МГц. Материалы статьи докладывались на VI Всероссийской Микроволновой конференции. The results of the development and research of the microwave source with pulse compression at the output of a semiconductor generator are given. As a result, a model of a microwave source layout was developed with the following parameters: peak power 1.78 kW, pulse duration at -3 dB level 5 ns, pulse repetition rate 250 Hz, carrier frequency 848 MHz. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|