Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Центр промышленной томографии Научно-производственная лаборатория "Тепловой контроль", Liu Bin, He Luyao, Zhang Hai, Sfarra S. Stefano, Fernandes H. C. Henrique Coelho, . . . Ren Jian. (2018). Quantitative study of magnetic memory signal characteristic affected by external magnetic field; Measurement; Vol. 131. 2018. https://doi.org/10.1016/j.measurement.2018.09.025
শিকাগো স্টাইল (17 তম সংস্করণ) উদ্ধৃতিНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Центр промышленной томографии Научно-производственная лаборатория "Тепловой контроль", Liu Bin, He Luyao, Zhang Hai, Sfarra S. Stefano, Fernandes H. C. Henrique Coelho, Perilli S, এবং Ren Jian. Quantitative Study of Magnetic Memory Signal Characteristic Affected by External Magnetic Field; Measurement; Vol. 131. 2018, 2018. https://doi.org/10.1016/j.measurement.2018.09.025.
M.L.A (9 ম সংস্করণ) উদ্ধৃতিНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Центр промышленной томографии Научно-производственная лаборатория "Тепловой контроль", et al. Quantitative Study of Magnetic Memory Signal Characteristic Affected by External Magnetic Field; Measurement; Vol. 131. 2018, 2018. https://doi.org/10.1016/j.measurement.2018.09.025.