Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Центр промышленной томографии Научно-производственная лаборатория "Тепловой контроль", Liu Bin, He Luyao, Zhang Hai, Sfarra S. Stefano, Fernandes H. C. Henrique Coelho, . . . Ren Jian. (2018). Quantitative study of magnetic memory signal characteristic affected by external magnetic field; Measurement; Vol. 131. 2018. https://doi.org/10.1016/j.measurement.2018.09.025
Цитирование в стиле Чикаго (17-е изд.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Центр промышленной томографии Научно-производственная лаборатория "Тепловой контроль", Liu Bin, He Luyao, Zhang Hai, Sfarra S. Stefano, Fernandes H. C. Henrique Coelho, Perilli S, и Ren Jian. Quantitative Study of Magnetic Memory Signal Characteristic Affected by External Magnetic Field; Measurement; Vol. 131. 2018, 2018. https://doi.org/10.1016/j.measurement.2018.09.025.
Цитирование MLA (9-е изд.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Центр промышленной томографии Научно-производственная лаборатория "Тепловой контроль", et al. Quantitative Study of Magnetic Memory Signal Characteristic Affected by External Magnetic Field; Measurement; Vol. 131. 2018, 2018. https://doi.org/10.1016/j.measurement.2018.09.025.