APA (7th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт неразрушающего контроля (ИНК) Международная научно-образовательная лаборатория неразрушающего контроля (МНОЛ НК), Lazarev S. V. Sergey Vladimirovich, Dzhigaev D. Dmitry, Bi Zh. Zhaoxia, Nowzari A. Ali, Kim A. Young Yong, & Rose M. Max. (2018). Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias; Nano Letters; Vol. 18, iss. 9. 2018. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.8b01802

Chicago Style (17th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт неразрушающего контроля (ИНК) Международная научно-образовательная лаборатория неразрушающего контроля (МНОЛ НК), Lazarev S. V. Sergey Vladimirovich, Dzhigaev D. Dmitry, Bi Zh. Zhaoxia, Nowzari A. Ali, Kim A. Young Yong, and Rose M. Max. Structural Changes in a Single GaN Nanowire Under Applied Voltage Bias; Nano Letters; Vol. 18, Iss. 9. 2018, 2018. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.8b01802.

MLA (9th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт неразрушающего контроля (ИНК) Международная научно-образовательная лаборатория неразрушающего контроля (МНОЛ НК), et al. Structural Changes in a Single GaN Nanowire Under Applied Voltage Bias; Nano Letters; Vol. 18, Iss. 9. 2018, 2018. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.8b01802.