Main principles of developing exploitation models of semiconductor devices; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics

Main principles of developing exploitation models of semiconductor devices; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics

Bibliographic Details
Parent link:	IOP Conference Series: Materials Science and Engineering Vol. 363 : Cognitive Robotics.— 2018.— [012025, 6 p.]
Main Author:	Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности Отделение контроля и диагностики
Other Authors:	Simonova A. V. Anastasia Vladimirovna
Summary:	Title screen The paper represents primary tasks, solutions of which allow to develop the exploitation modes of semiconductor devices taking into account complex and combined influence of ionizing irradiation and operation factors. The structure of the exploitation model of the semiconductor device is presented, which is based on radiation and reliability models. Furthermore, it was shown that the exploitation model should take into account complex and combine influence of various ionizing irradiation types and operation factors. The algorithm of developing the exploitation model of the semiconductor devices is proposed. The possibility of creating the radiation model of Schottky barrier diode, Schottky field-effect transistor and Gunn diode is shown based on the available experimental data. The basic exploitation model of IRLEDs based upon double AlGaAs heterostructures is represented. The practical application of the exploitation models will allow to output the electronic products with guaranteed operational properties.
Language:	English
Published:	2018
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ эксплуатация полупроводниковые приборы ионизирующее облучение надежность эксплуатационные свойства диоды Шоттки диоды Ганна транзисторы Шоттки
Online Access:	https://doi.org/10.1088/1757-899X/363/1/012025 http://earchive.tpu.ru/handle/11683/51787
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=658787

Similar Items

Полупроводниковые приборы СВЧ: пер. с англ.
Published: (Москва, Мир, 1972)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (Томск, 2003)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (Томск, [Б. и.], 2003)

Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки; Радиомир; № 2
by: Киселёв В.
Published: (2002)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (Томск, Изд-во ТПУ, 2005)

Т. 4, дополнительный; Диоды и их зарубежные аналоги
Published: (2011)

Продукция фирмы International Rectifier
Published: (Москва, ДМК Пресс, 2010)

Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Физика, технология, применение
by: Стриха В. И. Виталий Илларионович
Published: (Москва, Советское радио, 1974)

Твердотельная электроника: учебное пособие для вузов
by: Гуртов В. А. Валерий Алексеевич
Published: (Москва, Техносфера, 2008)

Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек; Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 75, вып. 1-2
Published: (2002)

Т. 1 : Общие вопросы теории. Туннельные и транзисторные усилители и детекторы СВЧ; Полупроводниковые входные устройства СВЧ
Published: (1975)

Твердотельная электроника: учебное пособие
by: Гуртов В. А. Валерий Алексеевич
Published: (Москва, Техносфера, 2005)

Физика полупроводниковых приборов
by: Лебедев А. И. Александр Иванович
Published: (Москва, Физматлит, 2008)

Применение контакта металл-полупроводник в электронике
by: Валиев К. А. Камиль Ахметович
Published: (Москва, Радио и связь, 1981)

Полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды
by: Гусятинер М. С. Марк Соломонович
Published: (Москва, Радио и связь, 1983)

Введение в электронику учебное пособие для бакалавриата и специалитета очной и заочной форм обучения по направлению 13.03.02 — электроэнергетика и электротехника. профиль обучения «электроснабжение»
by: Сергеев Б. С.
Published: (Екатеринбург, 2018)

Основы преобразовательной техники: учебное пособие
by: Буркин Е. Ю. Евгений Юрьевич
Published: (Томск, Изд-во ТПУ, 2005)

Приборы СВЧ и оптического диапазона учебное пособие. направление подготовки 210700.62 – инфокоммуникационные технологии и системы связи. профиль подготовки «сети связи и системы коммутации». бакалавриат
by: Велигоша А. В.
Published: (Ставрополь, СКФУ, 2014)

Основы проектирования субмикронных микросхем
by: Белоус А. И.
Published: (Москва, Техносфера, 2020)

Электроника конспект лекций
by: Ситникова С. В.
Published: (Самара, ПГУТИ, 2018)

Электроника и схемотехника. Полупроводниковые диоды учебное пособие
by: Никитин Ю. А.
Published: (Санкт-Петербург, СПбГУТ им. М.А. Бонч-Бруевича, 2022)

Использование генератора на диоде Ганна в качестве передатчика системы связи; Современные техника и технологии; Т. 1
by: Кочумеев В. А. Владислав Андреевич
Published: (2013)

Local mechanical stress relaxation of Gunn diodes irradiated by protons; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 830 : Energy Fluxes and Radiation Effects 2016
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2017)

Электроника учебное пособие
by: Черемушкин А. А.
Published: (Кемерово, КузГТУ имени Т.Ф. Горбачева, 2017)

Local mechanical stress relaxation of in gunn diodes irradiated by protons; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2016)

Оптоэлектронные свойства соединений группы А В
by: Сырбу Н. Н. Николай Николаевич
Published: (Кишинев, Штиинца, 1983)

Эффективная генерация с.в.ч.-колебаний на гармониках проводимости диодов Ганна; Приборы и техника эксперимента; № 6
by: Алексеев Ю. И.
Published: (2004)

Физические основы продукции высокотехнологичного производства
by: Вострецова Л. Н.
Published: (Ульяновск, УлГУ, 2021)

Стабилизация фазы СВЧ-колебаний наносекундной длительности в генераторе на диоде Ганна; Журнал технической физики; Т. 85, вып. 3
Published: (2015)

Импульсный генератор на диоде Ганна с повышенной стабильностью выходных параметров; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 320, № 4 : Энергетика
Published: (2012)

Phase stabilization of nanosecond microwave oscillations in Gunn-diode-based oscillators; Technical Physics; Vol. 60, iss. 3
Published: (2015)

Основы радиационной стойкости изделий электронной техники учебно-методическое пособие
by: Таперо К. И.
Published: (Москва, МИСИС, 2013)

Ч. 2; Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем
Published: (1988)

Разработка новой телесистемы для передачи данных по радиоканалу в процессе бурения скважин; Вестник науки Сибири; № 1 (11)
Published: (2014)

Кн. 5: Полупроводниковые приборы и их применение; Практическая схемотехника
Published: (2004)

Электронные и квантовые приборы СВЧ: учебник для вузов
by: Андрушко Л. М. Леонид Михайлович
Published: (Москва, Радио и связь, 1981)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
by: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Published: (2015)

Электронная синергетика. Физические основы самоорганизации и эволюции материи: Курс лекций
by: Усыченко В. Г.
Published: (Санкт-Петербург, Лань, 2022)

Инфракрасная камера на основе барьеров Шоттки для дневных наблюдений звёзд; Приборы и техника эксперимента; № 2
by: Гришин Е. А.
Published: (2003)

Физика полупроводниковых приборов: пер. с англ.; в 2-х кн; Кн. 1
by: Шур М. С. Михаил Саулович
Published: (Москва, Мир, 1992)