Orbital angular momentum of channeling radiation from relativistic electrons in thin Si crystal

Detaylı Bibliyografya
Parent link:Physics Letters A
Vol. 382, iss. 42-43.— 2018.— [P. 3141-3145]
Kurumsal yazarlar: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Школа базовой инженерной подготовки Отделение математики и информатики, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Школа базовой инженерной подготовки Отделение естественных наук
Diğer Yazarlar: Abdrachitov S. V. Sergey Vladimirovich, Bogdanov O. V. Oleg Viktorovich, Kazinsky P. O. Petr Olegovich, Tukhfatullin T. A. Timur Ahatovich
Özet:Title screen
We propose to use channeling radiation (CR) from relativistic electrons as a source of high energy twisted photons in the MeV range. We calculate numerically the orbital angular momentum (OAM) of radiation produced by electrons with the energies MeV for the axial and planar channeling in the thin Si crystal. We obtain that the average OAM of CR in this case is approximately per photon with the photon energies about MeV.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Baskı/Yayın Bilgisi: 2018
Konular:
Online Erişim:https://doi.org/10.1016/j.physleta.2018.07.044
Materyal Türü: Elektronik Kitap Bölümü
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=658404

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 658404
005 20250205145300.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\26155 
090 |a 658404 
100 |a 20181010d2018 k||y0rusy50 ba 
101 0 |a eng 
102 |a NL 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Orbital angular momentum of channeling radiation from relativistic electrons in thin Si crystal  |f S. V. Abdrachitov [et al.] 
203 |a Text  |c electronic 
300 |a Title screen 
320 |a References: p. 3145 (32 tit.) 
330 |a We propose to use channeling radiation (CR) from relativistic electrons as a source of high energy twisted photons in the MeV range. We calculate numerically the orbital angular momentum (OAM) of radiation produced by electrons with the energies MeV for the axial and planar channeling in the thin Si crystal. We obtain that the average OAM of CR in this case is approximately per photon with the photon energies about MeV. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Physics Letters A 
463 |t Vol. 382, iss. 42-43  |v [P. 3141-3145]  |d 2018 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a релятивистские электроны 
610 1 |a излучение 
610 1 |a фотоны 
610 1 |a момент импульса 
610 1 |a электромагнитное поле 
701 1 |a Abdrachitov  |b S. V.  |c physicist  |c assistant at Tomsk Polytechnic University  |f 1987-  |g Sergey Vladimirovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31543 
701 1 |a Bogdanov  |b O. V.  |c physicist  |c Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of Physical and Mathematical Sciences  |f 1981-  |g Oleg Viktorovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31518  |9 15679 
701 1 |a Kazinsky  |b P. O.  |g Petr Olegovich 
701 1 |a Tukhfatullin  |b T. A.  |c physicist  |c Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences  |f 1971-  |g Timur Ahatovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\33633 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Школа базовой инженерной подготовки  |b Отделение математики и информатики  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23555 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Школа базовой инженерной подготовки  |b Отделение естественных наук  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23562 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20181010  |g RCR 
856 4 |u https://doi.org/10.1016/j.physleta.2018.07.044 
942 |c CF