Национальный исследовательский Томский политехнический университет Школа базовой инженерной подготовки Отделение математики и информатики, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Школа базовой инженерной подготовки Отделение естественных наук, Abdrachitov S. V. Sergey Vladimirovich, Bogdanov O. V. Oleg Viktorovich, Kazinsky P. O. Petr Olegovich, & Tukhfatullin T. A. Timur Ahatovich. (2018). Orbital angular momentum of channeling radiation from relativistic electrons in thin Si crystal; Physics Letters A; Vol. 382, iss. 42-43. 2018. https://doi.org/10.1016/j.physleta.2018.07.044
Citazione stile Chigago Style (17a edizione)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Школа базовой инженерной подготовки Отделение математики и информатики, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Школа базовой инженерной подготовки Отделение естественных наук, Abdrachitov S. V. Sergey Vladimirovich, Bogdanov O. V. Oleg Viktorovich, Kazinsky P. O. Petr Olegovich, e Tukhfatullin T. A. Timur Ahatovich. Orbital Angular Momentum of Channeling Radiation from Relativistic Electrons in Thin Si Crystal; Physics Letters A; Vol. 382, Iss. 42-43. 2018, 2018. https://doi.org/10.1016/j.physleta.2018.07.044.
Citatione MLA (9a ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Школа базовой инженерной подготовки Отделение математики и информатики, et al. Orbital Angular Momentum of Channeling Radiation from Relativistic Electrons in Thin Si Crystal; Physics Letters A; Vol. 382, Iss. 42-43. 2018, 2018. https://doi.org/10.1016/j.physleta.2018.07.044.