Электродуговой синтез и очистка от углеродных примесей кубического карбида кремния в воздушной атмосфере; Сверхтвердые материалы; № 3
| Parent link: | Сверхтвердые материалы: научный журнал/ Академия наук Украины (АНУ), Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля.— , 1980-1994 № 3.— 2018.— [ С. 3-12] |
|---|---|
| Coauteurs: | , , |
| Andere auteurs: | , , , |
| Samenvatting: | Заглавие с экрана Представлен метод получения кубической фазы карбида кремния β-SiC путем отжига в воздушной среде порошкового продукта электродугового синтеза, состоящего из β-SiC, графита и небольшого количества кремния. Благодаря высокой стойкости β-SiC к окислению в воздушной среде удалось произвести его очистку в процессе горения фазы графита в температурном интервале ~ 700-900 °С. По данным рентгеновской дифрактометрии получен порошковый материал с содержанием β-SiC близким к 99 % (по объему), при этом, согласно результатам растровой электронной микроскопии, β-SiC характеризуется широким (от ~ 0,1 до ~ 10 мкм) распределением частиц по размерам и типичной для данной фазы формой кристаллов. Метод электродугового синтеза β-SiC и его последующей очистки до коммерческой чистоты впервые реализован в воздушной среде без применения защитных инертных газов. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Taal: | Russisch |
| Gepubliceerd in: |
2018
|
| Onderwerpen: | |
| Online toegang: | http://www.ism.kiev.ua/stm/index.php?i=132 |
| Formaat: | Elektronisch Hoofdstuk |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=658262 |
| Samenvatting: | Заглавие с экрана Представлен метод получения кубической фазы карбида кремния β-SiC путем отжига в воздушной среде порошкового продукта электродугового синтеза, состоящего из β-SiC, графита и небольшого количества кремния. Благодаря высокой стойкости β-SiC к окислению в воздушной среде удалось произвести его очистку в процессе горения фазы графита в температурном интервале ~ 700-900 °С. По данным рентгеновской дифрактометрии получен порошковый материал с содержанием β-SiC близким к 99 % (по объему), при этом, согласно результатам растровой электронной микроскопии, β-SiC характеризуется широким (от ~ 0,1 до ~ 10 мкм) распределением частиц по размерам и типичной для данной фазы формой кристаллов. Метод электродугового синтеза β-SiC и его последующей очистки до коммерческой чистоты впервые реализован в воздушной среде без применения защитных инертных газов. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|