Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Uglov V. V. Vladimir Vasilievich, Abadias G, Zlotski S. V., Saladukhin I. A., Safronov I. V., . . . Neethling J. H. (2017). Features of microstructure of ZrN, Si3N4 and ZrN/SiNx nanoscale films irradiated by Xe ions; Vacuum; Vol. 143. 2017. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2017.03.015
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, et al. Features of Microstructure of ZrN, Si3N4 and ZrN/SiNx Nanoscale Films Irradiated by Xe Ions; Vacuum; Vol. 143. 2017, 2017. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2017.03.015.
Стиль цитування MLA (9-ме видання)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, et al. Features of Microstructure of ZrN, Si3N4 and ZrN/SiNx Nanoscale Films Irradiated by Xe Ions; Vacuum; Vol. 143. 2017, 2017. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2017.03.015.