Электродуговая установка постоянного тока для плазменной обработки порошковых материалов; Электронно-лучевая сварка и смежные технологии

Bibliographische Detailangaben
Parent link:Электронно-лучевая сварка и смежные технологии.— 2017.— [С. 82-84]
1. Verfasser: Болотникова О. А. Ольга Александровна
Körperschaft: Томский политехнический университет Институт кибернетики, ИК
Weitere Verfasser: Пак А. Я. Александр Яковлевич
Zusammenfassung:Заглавие с экрана
В работе изложен метод получения ультрадисперсных материалов системы Si-C в плазме дугового разряда постоянного тока. Описана очистка искомого продукта βSiC путем отжига синтезированного порошка в воздушной атмосфере. Благодаря высокой стойкости βSiC к окислению в воздушной среде удалось произвести его выделение из продукта синтеза отжигом материала в температурном интервале ~600-850 °С.
The method of obtaining ultra-dispersed materials of the Si-C system in a DC arc discharge plasma is described. The work represents the method of purification βSiC by the annealing in the air atmosphere powder product of electric arc synthesis. Due to high resistance of βSiC to oxidation in air was able to realize purification during the combustion of graphite phase in the temperature range of ~ 600-850 ° C.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: 2017
Schlagworte:
Online-Zugang:http://ebw2017.mpei.ru/Pages/default.aspx
Format: Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=656973

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 656973
005 20260729165259.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\23453 
090 |a 656973 
100 |a 20171222d2017 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Электродуговая установка постоянного тока для плазменной обработки порошковых материалов  |f О. А. Болотникова, А. Я. Пак 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 84 (1 назв.)] 
330 |a В работе изложен метод получения ультрадисперсных материалов системы Si-C в плазме дугового разряда постоянного тока. Описана очистка искомого продукта βSiC путем отжига синтезированного порошка в воздушной атмосфере. Благодаря высокой стойкости βSiC к окислению в воздушной среде удалось произвести его выделение из продукта синтеза отжигом материала в температурном интервале ~600-850 °С. 
330 |a The method of obtaining ultra-dispersed materials of the Si-C system in a DC arc discharge plasma is described. The work represents the method of purification βSiC by the annealing in the air atmosphere powder product of electric arc synthesis. Due to high resistance of βSiC to oxidation in air was able to realize purification during the combustion of graphite phase in the temperature range of ~ 600-850 ° C. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
463 |t Электронно-лучевая сварка и смежные технологии  |o сборник материалов и докладов второй международной конференции, 14-17 ноября 2017 г., Москва  |f Национальный исследовательский университет Московский энергетический институт (МЭИ)  |v [С. 82-84]  |d 2017 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a карбид кремния 
610 1 |a электродуговой синтез 
610 1 |a термический анализ 
610 1 |a воздух 
700 1 |a Болотникова  |b О. А.  |g Ольга Александровна 
701 1 |a Пак  |b А. Я.  |c специалист в области электротехники  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1986-  |g Александр Яковлевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30051  |9 14481 
712 0 2 |a Томский политехнический университет  |b Институт кибернетики, ИК  |c 2010-2017  |9 27025 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20141010 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20171226  |g RCR 
850 |a 63413507 
856 4 |u http://ebw2017.mpei.ru/Pages/default.aspx 
942 |c CF