Электродуговая установка постоянного тока для плазменной обработки порошковых материалов; Электронно-лучевая сварка и смежные технологии

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
Parent link:Электронно-лучевая сварка и смежные технологии.— 2017.— [С. 82-84]
প্রধান লেখক: Болотникова О. А. Ольга Александровна
সংস্থা লেখক: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт кибернетики (ИК) Кафедра систем управления и мехатроники (СУМ)
অন্যান্য লেখক: Пак А. Я. Александр Яковлевич
সংক্ষিপ্ত:Заглавие с экрана
В работе изложен метод получения ультрадисперсных материалов системы Si-C в плазме дугового разряда постоянного тока. Описана очистка искомого продукта βSiC путем отжига синтезированного порошка в воздушной атмосфере. Благодаря высокой стойкости βSiC к окислению в воздушной среде удалось произвести его выделение из продукта синтеза отжигом материала в температурном интервале ~600-850 °С.
The method of obtaining ultra-dispersed materials of the Si-C system in a DC arc discharge plasma is described. The work represents the method of purification βSiC by the annealing in the air atmosphere powder product of electric arc synthesis. Due to high resistance of βSiC to oxidation in air was able to realize purification during the combustion of graphite phase in the temperature range of ~ 600-850 ° C.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
ভাষা:রুশ
প্রকাশিত: 2017
বিষয়গুলি:
অনলাইন ব্যবহার করুন:http://ebw2017.mpei.ru/Pages/default.aspx
বিন্যাস: বৈদ্যুতিক গ্রন্থের অধ্যায়
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=656973
বিবরন
সংক্ষিপ্ত:Заглавие с экрана
В работе изложен метод получения ультрадисперсных материалов системы Si-C в плазме дугового разряда постоянного тока. Описана очистка искомого продукта βSiC путем отжига синтезированного порошка в воздушной атмосфере. Благодаря высокой стойкости βSiC к окислению в воздушной среде удалось произвести его выделение из продукта синтеза отжигом материала в температурном интервале ~600-850 °С.
The method of obtaining ultra-dispersed materials of the Si-C system in a DC arc discharge plasma is described. The work represents the method of purification βSiC by the annealing in the air atmosphere powder product of electric arc synthesis. Due to high resistance of βSiC to oxidation in air was able to realize purification during the combustion of graphite phase in the temperature range of ~ 600-850 ° C.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса